检测项目

1.击穿电压（V_BR）：测量范围50-1500V@25℃，精度0.5%

2.漏电流（I_L）：测试条件V_R=0.8V_BR时≤10nA

3.响应时间（t_r）：上升时间≤1ns@100V阶跃信号

4.热阻（R_θJA）：结-环境热阻≤200℃/W@稳态功耗5W

5.噪声系数（NF）：频率1GHz时≤3dB

检测范围

1.硅基雪崩三极管（SiAPT）

2.砷化镓基雪崩三极管（GaAsAPD）

3.高频微波雪崩管（频率≥10GHz）

4.高压脉冲雪崩管（耐压≥1000V）

5.光敏型雪崩二极管（波长400-1700nm）

检测方法

1.IEC60747-1:2022《半导体分立器件通用测试规范》第8.3节击穿特性测试

2.GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第5部分：光电子器件》雪崩击穿电压测定法

3.ASTMF1243-15《半导体器件噪声系数测试标准》脉冲法测量方案

4.JEDECJESD51-14《瞬态热阻测试方法》双脉冲法实施规程

5.ISO17025:2017《检测实验室能力通用要求》第5.4条设备校准规范

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/100A脉冲测试模式

2.TektronixDPO70000SX示波器：70GHz带宽用于ns级响应时间测量

3.Keithley2636B源表：100fA分辨率漏电流测试系统

4.Fluke6100A热电偶校准仪：结温测量精度0.1℃

5.AgilentN9020B信号分析仪：40GHz频谱分析功能

6.Chroma19032-LCR测试仪：1MHz下电容-电压特性测量

7.AdvantestTAS7400SU噪声分析系统：10MHz-40GHz噪声系数测试

8.ThermoScientificCL3250恒温箱：-65℃~+300℃温控范围

9.OphirPD300-IR光电探头：响应波长200-1800nm光功率测量

10.HIOKIPW3390功率分析仪：0.05%基本精度直流参数测试