检测项目

1.纯度检测：采用GDMS法测定总杂质含量（Fe≤0.5ppm、Cu≤0.3ppm），主成分锗纯度≥99.999%

2.密度测试：通过阿基米德法测量体积密度（5.3230.005g/cm）与理论密度偏差

3.晶格缺陷分析：X射线衍射仪（XRD）测定晶格常数（0.56580.0002nm）及位错密度（≤10/cm）

4.表面污染物检测：TOF-SIMS分析表面氧含量（≤50μg/cm）及有机残留物

5.尺寸精度检验：激光三维扫描仪测量直径公差（0.025mm）与球度误差（≤0.01%）

检测范围

1.高纯锗丸（4N-6N级）：用于红外光学器件基材

2.掺杂锗丸（Ga/In掺杂）：应用于半导体衬底制备

3.核辐射探测用锗丸：满足HPGe探测器晶体生长需求

4.光伏级锗丸：用于空间太阳能电池基板

5.医用锗丸：符合ISO13485标准的植入材料

检测方法

1.ASTME1217-18：辉光放电质谱法测定痕量杂质

2.ISO18754:2020：精密密度测量规程

3.GB/T18043-2020：X射线荧光光谱法成分分析

4.ISO14706:2014：表面元素化学态分析标准

5.GB/T10610-2009：几何参数数字化测量规范

检测设备

1.ThermoScientificARLQUANT'XXRF光谱仪：用于非破坏性元素分析

2.BrukerD8ADVANCEXRD系统：晶格结构及缺陷定量分析

3.KeyenceLM-9000激光测量仪：三维形貌及尺寸精度检测

4.Agilent7900ICP-MS：超痕量杂质元素定量分析

5.MettlerToledoXPE205电子天平：密度测试称重精度0.01mg

6.ZeissSigma500SEM：表面微观形貌观测（分辨率1nm）

7.PerkinElmerSTA8000同步热分析仪：热膨胀系数测定（RT-1000℃）

8.UlvacPHIQuantes表面分析系统：TOF-SIMS深度剖析（检出限ppb级）

9.MalvernMastersizer3000激光粒度仪：粒径分布测试（0.01-3500μm）

10.OxfordInstrumentsAztecEDS能谱仪：微区成分快速定性分析