检测项目

1.硼元素含量测定：检测范围0.01ppm-10%，精度0.5%

2.硅纯度分析：涵盖0.1ppm-99.99%浓度区间

3.锗晶体缺陷检测：分辨率达0.1μm级微观结构表征

4.砷化合物形态分析：包括As(III)/As(V)价态区分

5.碲同位素比值测定：精度0.001%(⁰⁸Te/⁰⁶Te)

检测范围

1.半导体级单晶硅/多晶硅材料

2.光伏产业用碲化镉薄膜组件

3.核工业硼钢防护材料

4.锗基红外光学元器件

5.砷化镓微波通信芯片

检测方法

1.ICP-MS法（ASTME1479）：痕量元素定量分析

2.X射线荧光光谱法（GB/T223.84）：主量元素快速筛查

3.GD-MS辉光放电质谱（ISO22036）：高纯材料杂质分析

4.Raman光谱法（GB/T36065）：晶体结构表征

5.中子活化分析（ASTMC1234）：非破坏性同位素检测

检测设备

1.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：多元素同步测定系统

2.BrukerS8TIGERXRF光谱仪：固体样品无损分析平台

3.NuInstrumentsAstrumGD-MS：检出限达ppt级高分辨质谱仪

4.RenishawinViaQontorRaman显微镜：空间分辨率350nm显微系统

5.PerkinElmerNexION5000ICP-MS/MS：消除质谱干扰三重四极杆技术

6.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD：晶体结构全谱解析系统

7.Agilent8900ICP-QQQ：串联质谱消除基体干扰

8.HitachiSU9000FE-SEM：场发射扫描电镜表面形貌分析

9.LECOONH836氧氮氢分析仪：气体元素精确测定装置

10.ShimadzuEDX-8000能量色散谱仪：微区成分快速定性分析