检测项目

功函数测定：测量范围0.5-6.0 eV，误差≤±0.05 eV

发射电流密度分析：测试范围1×10⁻⁶-10 A/cm²，脉冲宽度0.1-100 ms

热稳定性测试：温度范围300-2000℃，升温速率5-50℃/min

寿命加速试验：连续工作5000小时，温度循环次数≥1000次

表面污染度检测：元素分析精度达0.1 at%，污染物检出限＜10 ppm

检测范围

钨基阴极材料（W-ThO₂、W-La₂O₃）

铪/铱合金涂层（HfC/Ir复合层）

稀土氧化物掺杂钡钨阴极

六硼化镧（LaB₆）单晶发射体

金刚石薄膜场发射阵列

检测方法

ASTM F1711：热电子发射材料功函数测量标准

ISO 21437：真空环境下发射电流密度测试规程

GB/T 19865-202X：电子发射器件寿命评估方法

GB/T 30215-202X：高温电子材料热膨胀系数测定

ISO 14606：表面化学分析-X射线光电子能谱法

检测设备

场发射扫描电镜：FEI Nova NanoSEM 450，分辨率0.8 nm@15 kV

高温真空测试系统：CVD Equipment Corp VGTS-2200，极限真空5×10⁻⁷ Torr

四极质谱仪：Pfeiffer Vacuum QMG 220 M1，质量数范围1-200 amu

X射线光电子能谱仪：Thermo Scientific K-Alpha+，能量分辨率<0.5 eV

脉冲电流测试仪：Keithley 2450 SourceMeter，最大输出1 A/200 V