检测项目

纯度分析：检测金属基体纯度≥99.9999%，痕量杂质总量≤10ppm

氧/氮/氢含量：氧含量≤2ppm，氮含量≤1ppm，氢含量≤0.5ppm

晶体结构表征：晶粒尺寸10-500μm，取向偏差≤0.5°

密度测定：相对密度≥99.5%，孔隙率≤0.05%

硬度测试：维氏硬度HV0.2范围50-200，各向异性指数≤5%

检测范围

半导体级单晶硅/锗材料

高纯金属溅射靶材（铜、铝、钛等）

超导合金线材（Nb3Sn、Bi-2212等）

核工业用锆/铪合金

光学镀膜材料（银、金、铂族金属）

检测方法

辉光放电质谱法：ASTM E1251，GB/T 4336

惰性气体熔融法：ISO 15350，GB/T 223.82

X射线衍射分析：ISO 20283，GB/T 8362

阿基米德法密度测试：ASTM B311，GB/T 1423

显微硬度测试：ISO 6507，GB/T 4340.1

检测设备

辉光放电质谱仪：Thermo Fisher Scientific Element GD，检测限0.001ppm

氧氮氢分析仪：LECO ONH836，分辨率0.01ppm

X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE，角度精度±0.0001°

全自动密度仪：Quantachrome Ultrapyc 5000，精度±0.01%

显微硬度计：Wilson VH3300，载荷范围10gf-50kgf