检测项目
光谱响应范围：200-1100 nm（紫外至近红外波段）
灵敏度：0.1-10 mA/W（光电流与入射光功率比）
暗电流密度：≤1 nA/cm²（无光照条件下的漏电流）
线性动态范围：10⁴-10⁶（光强与电信号线性关系范围）
响应时间：1 ns-10 ms（光信号转换为电信号的时间延迟）
检测范围
光刻胶材料：SU-8、AZ系列光刻胶的感光阈值测定
半导体晶圆：硅基/砷化镓基光电器件的量子效率测试
光学薄膜：增透膜、反射膜的紫外-可见光透过率分析
辐射剂量计：热释光剂量片（TLD）的辐射响应标定
光电传感器：CMOS/CCD图像传感器的暗场噪声检测
检测方法
ASTM F640-12：光刻胶紫外曝光能量密度测定方法
ISO 9312:2020：半导体光电器件光谱响应测试规范
GB/T 26178-2010：光辐射测量设备校准通则
ISO 15529:2010：光学系统调制传递函数（MTF）测试
GB/T 36540-2018：紫外辐射照度计检定规程
检测设备
Keithley 6517B静电计：10 aA分辨率电流测量，支持光电流瞬态分析
Newport Oriel CS260辐射系统：氙灯/汞灯光源，光谱范围185-2500 nm
Bentham PVE300光电测试平台：量子效率测量精度±2%，波长扫描步长1 nm
PerkinElmer Lambda 950分光光度计：双光束设计，光谱透过率测量误差＜0.1%
Agilent B1500A半导体分析仪：支持IV/CV曲线测试，最小电流分辨率0.1 fA