检测项目

光谱响应范围：200-1100 nm（紫外至近红外波段）

灵敏度：0.1-10 mA/W（光电流与入射光功率比）

暗电流密度：≤1 nA/cm²（无光照条件下的漏电流）

线性动态范围：10⁴-10⁶（光强与电信号线性关系范围）

响应时间：1 ns-10 ms（光信号转换为电信号的时间延迟）

检测范围

光刻胶材料：SU-8、AZ系列光刻胶的感光阈值测定

半导体晶圆：硅基/砷化镓基光电器件的量子效率测试

光学薄膜：增透膜、反射膜的紫外-可见光透过率分析

辐射剂量计：热释光剂量片（TLD）的辐射响应标定

光电传感器：CMOS/CCD图像传感器的暗场噪声检测

检测方法

ASTM F640-12：光刻胶紫外曝光能量密度测定方法

ISO 9312:2020：半导体光电器件光谱响应测试规范

GB/T 26178-2010：光辐射测量设备校准通则

ISO 15529:2010：光学系统调制传递函数（MTF）测试

GB/T 36540-2018：紫外辐射照度计检定规程

检测设备

Keithley 6517B静电计：10 aA分辨率电流测量，支持光电流瞬态分析

Newport Oriel CS260辐射系统：氙灯/汞灯光源，光谱范围185-2500 nm

Bentham PVE300光电测试平台：量子效率测量精度±2%，波长扫描步长1 nm

PerkinElmer Lambda 950分光光度计：双光束设计，光谱透过率测量误差＜0.1%

Agilent B1500A半导体分析仪：支持IV/CV曲线测试，最小电流分辨率0.1 fA