检测项目
1.临界温度（Tc）测定：超导转变起始温度（0.1K精度）、完全抗磁性温度点
2.饱和磁化强度（Ms）：0-10T磁场范围内最大磁化强度值（单位emu/g）
3.上临界磁场（Hc2）：4.2K温度下磁场强度测量范围0-15T
4.磁滞回线特性：矫顽力Hc（10Oe）、剩磁Br（0.01T）
5.电阻率-温度曲线：10mK-300K温区电阻变化率（分辨率1nΩcm）
检测范围
1.铀基铁磁超导体：如UGe2、UCoGe单晶/多晶样品
2.铈基重费米子材料：CeRhIn5、CeCoIn5薄膜及块材
3.钌铜氧系列化合物：Ru-1222型层状结构材料
4.铁基超导体系：SmFeAsO1-xFx掺杂样品
5.异质结器件：Fe/FeSe多层膜界面复合结构
检测方法
ASTMA932-18：低温环境下直流磁化率测量规程
ISO19869:2020：超导材料临界电流密度四探针法
GB/T13811-2019：超导材料电阻特性测试方法
ASTME3066-17：脉冲强磁场下磁化曲线测量标准
GB/T40732-2021：量子干涉器件（SQUID）磁测量技术规范
检测设备
QuantumDesignPPMSDynaCool：综合物性测量系统（温区1.9-400K，磁场9T）
CryogenicLimitedS700X-SQUID：超导量子干涉磁强计（灵敏度10^-8emu）
OxfordInstrumentsTeslatronPT：低温超导磁体系统（最大磁场15T）
LakeShore8400系列：交流磁化率测试仪（频率1Hz-10kHz）
Keithley2450SourceMeter：纳伏级电阻测量系统（最小分辨率10nV）
AgilentB1500A半导体分析仪：薄膜样品I-V特性测试（电流分辨率0.1fA）
BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：晶体结构分析（角度精度0.0001）
JEOLJEM-ARM300F球差电镜：原子尺度微观结构表征（分辨率0.08nm）