检测项目

纯度检测：二氧化锗含量（≥99.99%）

杂质元素分析：Fe、Cu、Ni、Pb、As（≤5 ppm）

晶型结构鉴定：四方相与六方相比例（XRD半定量）

粒度分布检测：D50值（0.5-10 μm范围）

水分及挥发物：105℃干燥失重（≤0.1%）

检测范围

高纯二氧化锗粉末（电子级）

锗单晶生长原料（太阳能电池用）

红外光学镀膜材料

半导体前驱体（GeO2薄膜沉积材料）

催化剂载体（石油化工用）

检测方法

ICP-MS法（ASTM E1479-16，GB/T 33324-2016）

X射线衍射法（ISO 20203:2005，GB/T 23413-2009）

激光粒度分析法（ISO 13320:2020，GB/T 19077-2016）

卡尔费休水分测定法（ISO 760:1978，GB/T 6283-2008）

热重分析法（ASTM E1131-20，GB/T 27761-2011）

检测设备

Thermo Fisher iCAP RQ ICP-MS（痕量元素检测，检出限0.01 ppb）

Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪（2θ范围5°-160°，分辨率0.0001°）

Malvern Mastersizer 3000激光粒度仪（测量范围0.01-3500 μm）

Mettler Toledo C30S卡尔费休水分仪（测量精度±1 μg）

PerkinElmer STA 8000同步热分析仪（温度范围25-1600℃）