检测项目
1.荷质比测定：测量范围1.758810^11C/kg0.0005%，分辨率0.001%
2.电子速度分布：能量范围0.1-100keV，速度分辨率0.05%
3.磁场均匀性：轴向梯度≤0.01mT/cm（1mT基准场）
4.电场稳定性：电压波动≤0.005%（DC500V工况）
5.真空系统本底压力：极限真空≤510^-4Pa（N2等效）
检测范围
1.III-V族半导体材料（GaAs、InP等）载流子迁移率验证
2.场发射显示器(FED)阴极材料电子逸出功测试
3.粒子加速器磁控管束流品质分析
4.真空电子器件残余气体电离干扰评估
5.纳米碳管/石墨烯复合材料的电子输运特性表征
检测方法
ASTMF617-19《半导体材料载流子迁移率标准测试方法》
ISO15962:2020《纳米材料电子特性测量通则》
GB/T13301-2021《电子荷质比测定磁偏转法》
IEC60747-5-3:2020《分立器件-光电器件测试规范》
GB/T32282-2015《真空电子器件通用规范》第4.3节
检测设备
1.Agilent5977B四极质谱仪：残余气体成分定量分析（10^-12Torr灵敏度）
2.LakeShore8404霍尔效应测试系统：磁场强度测量（0.1μT分辨率）
3.KeysightB1500A半导体分析仪：载流子迁移率测试（0.1fA电流精度）
4.PfeifferHiPace700分子泵组：超高真空