斜方晶格检测

检测项目

1.晶格常数测定：a轴(0.3-1.2nm)、b轴(0.4-1.5nm)、c轴(0.5-2.0nm)三维参数测量

2.晶体取向偏差分析：0.05~5范围内取向角偏差检测

3.位错密度评估：10^4~10^12cm^-2缺陷密度定量分析

4.晶界特征统计：大角度晶界(>15)与小角度晶界(<15)比例测定

5.织构系数计算：ODF取向分布函数中最大强度值f(g)≥1.5的织构组分识别

检测范围

1.金属合金：钛合金TC4/TA15、铝合金6061/7075等航空航天材料

2.陶瓷材料：氧化锆(ZrO2)、碳化硅(SiC)等高温结构陶瓷

3.半导体材料：GaN基HEMT器件、SiC功率模块等电子元件

4.功能薄膜：磁控溅射制备的TiN/AlN多层膜系

5.地质矿物：斜方辉石类矿物(Enstatite)的晶体结构解析

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME112-13标准晶粒尺寸测定、GB/T13298-2015金属显微组织检验

2.电子背散射衍射：ISO24173:2009晶体取向分析规范

3.透射电子显微镜：GB/T23414-2009微束分析标准方法

4.同步辐射技术：ISO22278:2020高分辨X射线衍射规程

5.中子衍射法：ASTME1426-14残余应力测试标准

检测设备

1.X射线衍射仪：PANalyticalX'Pert3MRD，配备CuKα辐射源(λ=0.15406nm)

2.场发射扫描电镜：FEINovaNanoSEM450，EBSD分辨率≤0.1μm

3.透射电子显微镜：JEOLJEM-ARM300F，点分辨率0.08nm

4.三维原子探针：CAMECALEAP5000XS，质量分辨率m/Δm≥1500

5.X射线应力分析仪：ProtoLXRD，Ψ角范围45可调

6.同步辐射装置：上海光源BL14B1线站，能量范围5-20keV

7.高温原位平台：AntonPaarDHS1100，最高温度1600℃

8.EBSD探测器：OxfordInstrumentsSymmetryS2，采集速度≥3000pps

9.XRD光学系统：Hybridmonochromator,发散度≤0.02

10.样品制备系统：GatanPIPSII691,离子束能量0.1-8keV可调

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"斜方晶格检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。