振幅衬度检测

检测项目1.材料厚度测量:分辨率0.1-500μm(5nm精度)2.密度差异分析:可识别≥0.05g/cm的密度梯度3.界面结合状态评估:层间结合强度≥10MPa的界面表征4.微观缺陷检测:最小可识别缺陷尺寸50nm5.晶体结构参数测定:晶格常数测量精度0.005检测范围1.金属基复合材料(铝/钛合金层压结构)2.半导体器件(硅基芯片互连结构)3.高分子薄膜(PET/PI多层复合膜)4.陶瓷基复合材料(SiC/Si3N4梯度材料)5.生物医学材料(羟基磷灰石涂层植入体)检测方法ASTME2543-18《电

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检测项目

1.材料厚度测量:分辨率0.1-500μm(5nm精度)

2.密度差异分析:可识别≥0.05g/cm的密度梯度

3.界面结合状态评估:层间结合强度≥10MPa的界面表征

4.微观缺陷检测:最小可识别缺陷尺寸50nm

5.晶体结构参数测定:晶格常数测量精度0.005

检测范围

1.金属基复合材料(铝/钛合金层压结构)

2.半导体器件(硅基芯片互连结构)

3.高分子薄膜(PET/PI多层复合膜)

4.陶瓷基复合材料(SiC/Si3N4梯度材料)

5.生物医学材料(羟基磷灰石涂层植入体)

检测方法

ASTME2543-18《电子显微术相位衬度成像标准指南》

ISO16700:2016《微束分析-扫描电镜校准方法》

GB/T33207-2016《纳米薄膜厚度测量方法》

GB/T27788-2020《微束分析扫描电镜图像放大倍率校准》

ISO21363:2020《纳米技术-透射电镜晶格测量法》

检测设备

1.JEOLJSM-7900F场发射扫描电镜:配备二次电子/背散射电子双探测器系统

2.FEITalosF200X透射电镜:200kV加速电压,STEM模式分辨率0.16nm

3.Brukere-FlashHR高分辨EBSD探测器:空间分辨率≤5nm

4.OxfordInstrumentsX-MaxN150能谱仪:探测元素范围B-U(5eV分辨率)

5.GatanOneViewCMOS相机:4k4k像素,30fps高速采集

6.HitachiHF5000场发射透射电镜:信息极限分辨率0.07nm

7.ZeissGeminiSEM500:束流稳定性≤0.2%/h@1nA

8.ThermoScientificPrismaESEM:低真空模式(10-2000Pa)样品室

9.TESCANMIRA4GMHFEG-SEM:束斑尺寸可调范围1nm-1μm

10.ShimadzuEPMA-8050G电子探针:波长色散谱仪(WDS)分析精度0.01wt%

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
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  • 标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
  • 非标测试:支持定制化试验方案。
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