检测项目
1.表面电子结合能测定：测量范围0-1500eV，分辨率≤0.1eV
2.费米能级定位分析：精度0.05eV
3.能带结构表征：带隙测量误差≤0.02eV
4.电荷迁移率测试：载流子浓度10^14-10^20cm^-3
5.功函数测定：重复性误差0.03eV
检测范围
1.III-V族半导体材料（GaAs、InP等）
2.二维材料（石墨烯、MoS2薄膜）
3.金属氧化物电极（ITO、FTO玻璃）
4.有机光伏材料（P3HT:PCBM体系）
5.高熵合金表面涂层
检测方法
1.X射线光电子能谱法（XPS）：ISO15472:2010表面化学分析标准
2.紫外光电子能谱法（UPS）：ASTME1523电子逸出功测试规范
3.扫描隧道谱（STS）：GB/T35033-2018纳米材料表征方法
4.角分辨光电子能谱（ARPES）：ISO20903:2019能带结构分析规程
5.开尔文探针力显微镜（KPFM）：GB/T40115-2021表面电势测量标准
检测设备
1.ThermoScientificESCALABXi+XPS系统：配备单色化AlKα源（1486.6eV），能量分辨率＜0.45eV
2.SPECSPHOIBOS150UPS分析仪：氦气放电灯（HeI21.2eV），角度分辨率0.1
3.JEOLJAMP-9500FAuger微探针：空间分辨率5nm@15kV
4.OmicronVT-STM扫描隧道显微镜：恒流模式分辨率0.01nm
5.BrukerDimensionIconKPFM系统：电势测量灵敏度1mV
6.ScientaOmicronDA30LARPES工作站：角度接收范围30，能量分辨率＜1meV
7.KeysightB1500A半导体分析仪：支持10fA-1A电流测量精度
8.Agilent5500AFM系统：接触模式力分辨率0.1nN
9.RBDInstruments1470电子能量分析器：多通道探测效率＞90%
10.LakeShoreCRX-VF低温探针台：温控范围4K-500K0.1K