检测项目

1.介子质量测定：测量π/K介子的静止质量（135-494MeV/c）

2.衰变时间谱分析：记录μ→eνν衰变过程（τ≈2.2μs）的时间分布

3.电离能损测量：计算dE/dx在硅探测器中的能量损失（0.1-10GeV/cm）

4.动量分辨率测试：采用磁谱仪测定Δp/p≤0.1%的动量精度

5.通量密度校准：标定10-10⁸particles/cms范围的束流强度

检测范围

1.半导体辐射损伤测试：硅/锗基集成电路元件

2.核反应堆结构材料：锆合金/不锈钢压力容器

3.航天器屏蔽材料：聚乙烯/碳化硼复合材料

4.医疗放射治疗设备：质子治疗系统准直器

5.高能物理探测器：闪烁晶体/漂移室组件

检测方法

ASTME265-15：带电粒子辐射损伤评估标准

ISO8529-3:2021：参考辐射场建立规范

GB/T14055.1-2008：中子参考辐射技术要求

IEC60544-5:2022：绝缘材料辐射老化试验

GB/T31991-2015：电子器件辐射效应测试规程

检测设备

1.CYCLONE70回旋加速器（IBA）：产生10-70MeV质子束流

2.CAENDT5781数字化采集系统：实现ns级时间分辨测量

3.HAMAMATSUH8500光电倍增管：用于切伦科夫光探测

4.KEITHLEY2636B源表：完成nA级微弱电流测量

5.AGILENTE4980ALLCR表：介质损耗角正切测量（1MHz）

6.BRUKERD8ADVANCEXRD：晶体结构损伤分析（0.02精度）

7.ORTECGEM-C5060HPGe探测器：γ能谱分辨率≤0.2%@1.33MeV

8.FLIRSC7000红外热像仪：实时监测样品温升（20mK灵敏度）