检测项目

1.交换偏置场强度（He）：测量范围2000Oe，精度1Oe

2.磁滞回线参数：包括矫顽力（Hc）、剩磁比（Mr/Ms）及矩形度（S*）

3.钉扎层厚度：测量精度0.2nm（XRR法）

4.界面粗糙度：RMS值≤0.5nm（AFM法）

5.热稳定性测试：-196℃~300℃温控范围下的ΔHe≤5%

检测范围

1.CoFeB/MgO/CoFeB多层膜结构材料

2.IrMn基反铁磁钉扎层体系

3.磁性隧道结（MTJ）器件

4.巨磁阻（GMR）传感器芯片

5.自旋转移矩存储器（STT-MRAM）单元

检测方法

ASTMA932-18《磁性薄膜交换偏置场测试规程》

ISO19860:2019《纳米尺度磁性材料表征方法》

GB/T26314-2020《磁性多层膜界面特性X射线反射测量法》

GB/T38721-2020《超薄磁性薄膜振动样品磁强计测试规范》

IEC62047-28:2021《半导体器件-微型机电磁传感器测试方法》

检测设备

1.QuantumDesignPPMS-9T：低温强磁场综合测量系统（1.9-400K,9T）

2.LakeShore8600系列振动样品磁强计：灵敏度110^-6emu

3.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪：配备Cu靶光源（λ=0.15406nm）

4.ParkSystemsNX20原子力显微镜：分辨率0.1nm（接触模式）

5.OxfordInstrumentsMicrostatHe低温恒温器：温度稳定性0.01K@4K

6.KeysightB1500A半导体参数分析仪：电流分辨率10fA

7.KLATencorP-7台阶仪：垂直分辨率0.1

8.RiberMBE-49分子束外延系统：本底真空≤510^-11Torr

9.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：点分辨率0.08nm

10.Agilent4156C精密源表：电压分辨率1μV