检测项目

1. 剥离强度：测试范围0-100N/mm,剥离速率0.1-10mm/min,精度±1%

2. 拉伸粘结强度：测试范围0-50MPa,加载速率0.5-5mm/min

3. 剪切强度：测试范围0-30MPa,芯片尺寸0.5mm×0.5mm-20mm×20mm

4. 失效模式：粘附失效、内聚失效、混合失效,分析比例

5. 温度循环粘结强度：温度范围-65~150℃,循环次数0-1000次

检测范围

1. 集成电路芯片：QFP,BGA,CSP,芯片尺寸1mm×1mm-35mm×35mm

2. 功率器件芯片：IGBT,MOSFET,芯片尺寸5mm×5mm-15mm×15mm

3. LED芯片：尺寸0.2mm×0.2mm-2mm×2mm,粘结强度≥10MPa

4. 存储芯片：NAND Flash,DRAM,粘结强度≥15MPa

5. MEMS芯片：加速度计,陀螺仪,粘结强度≥20MPa

检测方法

1. JEDEC JESD22-B116A 芯片剪切强度的试验方法

2. IPC-TM-650 2.4.42 芯片粘结强度测试

3. GB/T 35005-2018 集成电路芯片粘结强度试验方法

4. ASTM D4541-22 用便携式附着力测试仪测定涂层拉脱强度的标准试验方法

5. MIL-STD-883K Method 2019.9 芯片剪切强度

检测设备

1. 芯片推拉力测试机(Dage 4000)：推力范围0-100kgf,拉力范围0-50kgf

2. 万能材料试验机(Instron 5944)：最大载荷2kN,位移精度±0.5%

3. 剥离测试仪(Nordson Dage 4000)：剥离力范围0-200N,精度±0.5%

4. 推拉力计(Mark-10 ESM303)：最大载荷500N,精度±0.25%

5. 金相显微镜(Olympus BX51M)：放大倍数50-1000X,失效模式观察

6. 扫描电子显微镜(ZEISS Sigma 500)：分辨率1.0nm,断口形貌分析

7. 环境试验箱(Thermal Product Solutions DCS-100)：温度范围-65~150℃,温变速率15℃/min

8. X射线检测系统(Nikon XT V 160)：分辨率<1μm,最大样品尺寸300mm

9. 声学显微镜(Sonoscan D9000)：扫描频率15-300MHz,分层缺陷检测

10. 数据采集系统(National Instruments PXIe-1073)：采样率10kHz,通道数32