检测项目
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：测量范围0.1-100V，精度±0.5%
基极电流集边效应系数（KBE）：测试条件25-150℃，分辨率0.01A/μm
热载流子注入效应（HCI）：加速电压5-30kV，失效判定阈值ΔIDSAT≤5%
发射结温度梯度（ΔTj）：红外热成像分辨率±0.5℃，空间定位精度5μm
电流拥挤效应指数（CCI）：测试频率DC-1MHz，最大电流密度1000A/cm²
检测范围
硅基双极型晶体管（BJT）
碳化硅（SiC）功率MOSFET
氮化镓（GaN）射频器件
绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块
有机半导体薄膜晶体管（OTFT）
检测方法
ASTM F76-08(2020)：半导体器件稳态电特性测试标准
ISO 11451:2019 功率器件热特性循环测试规范
GB/T 4587-2010 半导体分立器件测试方法
IEC 60747-9:2019 绝缘栅双极晶体管测试标准
GB/T 4937-2012 半导体器件机械和气候试验方法
检测设备
Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持DC-1GHz测试，最小电流分辨率0.1fA
Flir A655sc红外热像仪：热灵敏度＜20mK，空间分辨率640×480
Veeco Dektak XT台阶仪：垂直分辨率0.1Å，扫描范围50mm
Tektronix DPO70000SX示波器：70GHz带宽，采样率200GS/s
Thermo Scientific Apreo 2S扫描电镜：分辨率0.6nm@1kV，EDAX能谱分析模块