检测项目

1.正向电压（VF）：测试条件IF=1A时典型值0.7-1.1V

2.反向电流（IR）：25℃/100℃下VR=5V时≤10μA/100μA

3.结电容（Cj）：频率1MHz时测量值≤50pF

4.反向恢复时间（trr）：IF=0.1A时≤100ns

5.热阻（RθJA）：功率耗散1W时≤80℃/W

检测范围

1.硅基整流二极管（1N4007系列）

2.肖特基二极管（SS14/SS34系列）

3.快恢复二极管（FR107/FR207系列）

4.TVS瞬态抑制二极管（P6KE系列）

5.LED驱动用稳压二极管（BZX55C系列）

检测方法

1.正向特性测试：GB/T6571-2016/IEC60747-1

2.反向耐压测试：JESD22-A108F

3.动态参数测试：MIL-STD-750EMethod3121

4.热特性分析：JEDECJESD51-14

5.可靠性试验：GB/T4937-2012对应IEC60749标准

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：静态参数全特性测试

2.TektronixMSO64示波器：trr动态波形捕获

3.Chroma17020耐压测试仪：VRRM击穿电压测量

4.AgilentE4980ALLCR表：Cj参数精密测量

5.ThermonicsT-2600热阻测试系统：RθJA热特性分析

6.ESPECPL-3KPH恒温恒湿箱：环境可靠性试验

7.Fluke8846A数字万用表：基础电参数验证

8.RaytekMR1SC红外热像仪：结温分布监测

9.MPITS200-TH探针台：晶圆级参数测试

10.HIELECHPS9400老化测试系统：加速寿命试验