二硅化钨检测

二硅化钨(WSi₂)作为高温结构材料和电子元件的关键组分,其性能检测需通过多维度分析实现质量控制。核心检测项目涵盖化学成分、晶体结构、物理性能及表面特性等指标,需严格遵循ASTM、ISO及GB/T标准方法。本文系统阐述实验室级检测流程与技术要求。

原创阅读 72025-04-08工程师CMACNASISO高新技术企业

检测项目

1.化学成分分析:钨含量(70.0-72.5wt%)、硅含量(27.5-29.8wt%)、杂质元素(O≤0.8%、C≤0.3%、Fe≤0.15%)

2.晶体结构表征:四方晶系P4/mmm空间群确认、晶格常数a=3.210.03/c=7.850.05

3.密度测试:理论密度9.3g/cm0.5%偏差允许范围

4.热膨胀系数测定:20-1000℃范围内α=6.210⁻⁶/K5%

5.显微硬度测试:HV0.2≥1200kgf/mm

检测范围

1.粉末冶金法制备的WSi₂烧结体(粒径D50=5-50μm)

2.化学气相沉积(CVD)工艺制备的高温防护涂层

3.半导体器件用WSi₂溅射靶材(纯度≥99.95%)

4.核反应堆控制棒WSi₂复合陶瓷材料

5.航空发动机涡轮叶片WSi₂基高温合金

检测方法

1.ASTME3061-17《X射线荧光光谱法测定难熔金属硅化物成分》

2.ISO20203:2015《X射线衍射法定量分析晶体结构》

3.GB/T5163-2018《金属粉末有效密度的测定》

4.GB/T13301-2019《材料热膨胀系数测定方法》

5.ISO6507-1:2018《金属材料维氏硬度试验》

检测设备

1.X射线荧光光谱仪(XRF-1800):元素定量分析精度0.02%

2.X射线衍射仪(D8ADVANCE):角度分辨率0.0001

3.阿基米德密度仪(MD-300S):测量精度0.01g/cm

4.激光热膨胀仪(LINSEISL76):温度分辨率0.1℃

5.显微硬度计(FM-800):载荷分辨率0.01gf

6.场发射扫描电镜(SU5000):分辨率1nm@15kV

7.氧氮氢分析仪(ONH836):检出限O:2ppm/N:1ppm

8.激光粒度分析仪(LS13320):测量范围0.04-2000μm

9.高温氧化试验炉(GSL-1700X):最高温度1700℃5℃

10.四探针电阻率测试仪(RTS-9):测量范围10⁻⁴-10⁶Ωcm

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
  • 资质:旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。
  • 标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
  • 非标测试:支持定制化试验方案。
  • 售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

QUALIFICATIONS

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