检测项目

1.反向饱和电流（I_R）：测量范围1nA-100μA@25C0.5C

2.击穿电压（V_BR）：测试条件0-3000VDC1%精度

3.温度系数（TC）：-55C至+150C温控环境下的电导变化率

4.漏电流稳定性：72小时持续加载80%V_BR的漂移量

5.动态响应时间：纳秒级脉冲信号下的反向恢复特性

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)晶圆及外延片

2.分立器件：二极管、晶闸管、IGBT模块

3.光伏材料：太阳能电池PN结反向特性

4.绝缘材料：陶瓷基板、高分子薄膜的体积电阻率

5.复合材料：石墨烯/聚合物复合介质的界面导电行为

检测方法

1.ASTMF1249：半导体器件反向恢复时间测试规程

2.ISO16750-4:2018汽车电子部件电气负荷试验

3.GB/T4937-2012半导体器件机械和气候试验方法

4.IEC60747-1:2006分立器件基本参数测量规范

5.GB/T1408.1-2016绝缘材料电气强度试验方法

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1000A脉冲测试

2.TektronixPA3000高压差分探头：200MHz带宽6000V量程

3.Chroma19032耐压测试仪：AC/DC5kV绝缘电阻测量

4.Agilent4156C精密半导体参数分析仪：0.1fA分辨率电流测量

5.ESPECPCT-322温控箱：-70C至+180C快速温变系统

6.HiokiIM3590化学阻抗分析仪：10μHz-200kHz频段介电谱测试

7.Fluke1587FC绝缘电阻测试仪：1000V/1TΩ量程

8.Keithley2450源表：触摸屏交互式IV特性测试平台

9.ThermoScientificCL24氧气浓度控制箱：惰性气体环境测试装置

10.OmicronBode100频响分析仪：10μHz-40MHz阻抗特性分析