检测项目

1.正向压降（VF）：测试导通状态下阳极-阴极间电压降（0.8V-1.5V@25℃）

2.反向击穿电压（VBR）：测量器件反向耐压能力（400V-2500V@漏电流≤1mA）

3.触发电流（IGT）：确定门极最小触发电流值（5mA-200mA@Tj=25℃）

4.维持电流（IH）：测试维持导通状态的最小阳极电流（20mA-500mA）

5.热阻系数（Rth）：计算结壳间热阻值（≤1.5℃/W@稳态工况）

检测范围

1.普通晶闸管：KP系列单向阻断型SCR器件

2.快速恢复型：KK系列高频应用SCR模块

3.双向晶闸管：KS系列交流控制器件

4.光控晶闸管：GK系列光纤触发型器件

5.高压模块：3CT系列（1600V-8000V）功率组件

检测方法

1.静态特性测试：依据GB/T15291-2015《半导体器件分立器件》第6章

2.动态参数测量：参照IEC60747-6:2016中开关特性测试规范

3.热性能试验：执行GB/T4023-2015结温测试方法

4.环境适应性：符合GJB33A-1997军用元件环境试验要求

5.可靠性验证：采用JESD22-A108E温度循环加速老化方案

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持1700V/1500A脉冲测试

2.Chroma17020耐压测试仪：最大输出10kV/100mA直流高压源

3.TektronixDPO7054示波器：2.5GHz带宽动态特性采集系统

4.FlukeTi480红外热像仪：非接触式结温分布监测装置

5.ESPECPL-3KPH气候箱：-70℃~+180℃温湿度复合试验箱

6.GWInstekLCR-8101G阻抗分析仪：门极电容/电感参数测量

7.HIOKIPW3390功率分析仪：导通损耗精确计量（精度0.05%）

8.ThermonicsT-2600热阻测试台：符合JEDECJESD51标准平台