检测项目

1.电流放大系数（β值）：测试范围0.1-1000倍，精度0.5%@Ic=1mA-10A

2.击穿电压（BV_CEO）：测量范围0-100V，分辨率1mV

3.漏电流（I_CEO）：灵敏度≤1nA@V_CE=50V

4.噪声系数（NF）：频率覆盖10MHz-40GHz，动态范围≥30dB

5.热阻（R_th）：温度梯度测试精度0.1℃/W

检测范围

1.GaAs基异质结双极晶体管（GaAsHBT）

2.InP基高频功率器件（InPHBT）

3.SiGe异质结微波器件（SiGeHBT）

4.GaN基高温功率模块（GaNHBT）

5.磷化铟光电子集成器件（InP-OEIC）

检测方法

1.电流增益测试：ASTMF617-20《双极晶体管直流参数测量》

2.击穿特性分析：GB/T4587-2019《半导体器件分立器件测试方法》

3.S参数测量：IEC60748-4-15高频器件网络分析规范

4.热特性测试：JEDECJESD51-14瞬态热阻测量标准

5.噪声系数校准：IEEE145-2013微波测量标准

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试

2.TektronixPA3000功率分析仪：带宽120MHz@200V量程

3.Agilent4156C精密半导体参数分析仪：最小分辨率0.1fA

4.Rohde&SchwarzZVA67矢量网络分析仪：频率范围10MHz-67GHz

5.FLIRA655sc红外热像仪：热灵敏度＜30mK@30Hz帧频

6.Keithley2636B源表模块：双通道200V/10A脉冲输出

7.ThermoScientificHCS402热流计：量程0-100W/cm精度1%

8.CascadeSummit12000探针台：支持12英寸晶圆级测试