检测项目
1.晶格常数测定：a轴（3.11-3.25）、c轴（4.98-5.22）参数误差≤0.002
2.晶体取向分析：c轴偏离角测量精度0.1
3.位错密度检测：通过TEM计算位错线密度（106-108cm-2）
4.层错能测定：采用电子背散射衍射（EBSD）分析层错概率（＜5%）
5.残余应力测试：XRD法测量应力梯度（200MPa）
检测范围
1.III-V族半导体材料：GaN/AlN异质结外延片
2.II-VI族化合物：ZnO纳米线阵列
3.宽禁带半导体器件：SiC功率器件衬底
4.LED发光层结构：InGaN/GaN多量子阱
5.压电材料：AlScN薄膜传感器
检测方法
ASTME915-16：X射线衍射残余应力测试规范
ISO22262-2:2020：微区晶体取向EBSD分析标准
GB/T23413-2009：纳米晶体材料X射线衍射测试方法
GB/T36075-2018：半导体材料缺陷密度测试通则
ISO16700:2016：透射电镜选区衍射标定规程
检测设备
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备高分辨率测角器（0.0001步进）
2.FEITalosF200X透射电镜：200kV场发射枪，STEM分辨率0.16nm
3.BrukerD8DISCOVERX射线三维显微镜：CT分辨率500nm
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：全自动菊池花样采集（100点/秒）
5.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台：高温附件支持1600℃原位测试
6.JEOLJSM-7900F场发射扫描电镜：低电压分辨率1.0nm@1kV
7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：PeakForceTapping模式力控精度10pN
8.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM：离子束加工精度5nm
9.Agilent5500SPM系统：压电力显微镜（PFM）振幅分辨率0.1pm
10.PANalyticalX'Pert3MRDXL高分辨衍射仪：五轴样品台90倾转能力