检测项目

禁带宽度测定（0.1-6.0eV范围）

费米能级差值分析（0.05eV精度）

表面功函数测量（2-8eV区间）

界面能带弯曲度量化（0.01角分辨率）

载流子浓度梯度检测（10^14-10^20cm^-3量程）

检测范围

III-V族半导体材料（GaAs、InP等）

钙钛矿光伏薄膜（MAPbI3、CsPbBr3等）

过渡金属氧化物催化剂（TiO2、Co3O4等）

二维层状材料（MoS2、WS2等）

有机-无机异质结器件（PEDOT:PSS/Si等）

检测方法

ASTMF76-08(2016)半导体载流子浓度测试规范

ISO14707:2000表面化学分析-辉光放电发射光谱法

GB/T31985-2015光伏材料禁带宽度测试方法

ISO18118:2015表面化学分析-X射线光电子能谱法

GB/T38945-2020纳米材料功函数测定规程

检测设备

ThermoScientificK-Alpha+X射线光电子能谱仪（XPS），分辨率≤0.5eV

SPECSPHOIBOS150UPS系统（紫外光电子能谱），能量分辨率3meV

KeysightB1500A半导体参数分析仪（IV/CV特性测试）

HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪（空间分辨率0.5μm）

ParkSystemsNX12原子力显微镜（AFM），接触模式功函数成像

Agilent5500扫描探针显微镜（SPM），Kelvin探针力测量模块

PerkinElmerLambda1050+紫外可见分光光度计（带积分球附件）

OxfordInstrumentsMicrostatHiResII低温恒温系统（4-500K温控）

RigakuSmartLabX射线衍射仪（XRD），高角度分辨0.0001

SciospecISX-3阻抗分析仪（10μHz-32MHz频率范围）