微波晶体管检测

检测项目

1.S参数测试：频率范围1-40GHz，测量输入/输出反射系数（S11/S22）及传输系数（S21/S12）

2.噪声系数测试：频率覆盖0.5-18GHz，测量最小噪声系数（NFmin）及等效噪声电阻

3.功率特性测试：包括1dB压缩点（P1dB）、饱和输出功率（Psat），最大输入功率≤30dBm

4.热阻测试：结温测量精度0.5℃，计算热阻Rth(j-c)值

5.可靠性试验：高温反偏试验（175℃/1000h）、温度循环（-55℃~150℃/1000次）

检测范围

1.GaAs基场效应晶体管（FET）：适用于X波段雷达发射模块

2.GaNHEMT晶体管：工作频率覆盖L至Ka波段的大功率器件

3.SiGe异质结双极晶体管（HBT）：毫米波通信前端低噪声器件

4.LDMOS射频功率管：基站功放用UHF频段器件

5.微波封装器件：QFN、陶瓷扁平封装等表贴型晶体管

检测方法

1.IEC60749-25:2018半导体器件机械与气候试验方法

2.GB/T4587-1994双极型晶体管测试方法

3.MIL-STD-750F电子器件环境试验方法

4.JEDECJESD51-14瞬态热特性测试规范

5.ASTMF1249-20微波晶体管噪声参数测量标准

检测设备

1.KeysightPNA-XN5247B矢量网络分析仪：频率范围10MHz-43.5GHz，S参数测试精度0.05dB

2.KeysightN8975B噪声系数分析仪：频率范围10MHz-26.5GHz，不确定度≤0.15dB

3.TektronixPA3000功率分析仪：最大输入功率40dBm，谐波测量至10次

4.ThermoScientificT3Ster瞬态热阻测试系统：时间分辨率10μs，结温测量精度0.3℃

5.ESPECPL-3KPH温度循环箱：温变速率15℃/min，温度范围-70℃~180℃

6.AgilentB1505A功率器件分析仪：最大电压/电流3000V/1500A

7.Rohde&SchwarzFSW67信号分析仪：分析带宽510MHz，相位噪声-137dBc/Hz@10kHz

8.CascadeSummit12000探针台：支持12英寸晶圆测试，定位精度0.5μm

9.Fluke6100B热电偶校准系统：温度校准范围-200℃~1200℃

10.AnritsuMG3710E模拟信号发生器：输出频率最高70GHz，相位噪声≤-110dBc/Hz@10kHz偏移

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"微波晶体管检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。