禁带能级检测

检测项目

禁带宽度（Eg）：测定0.5-6.5eV范围内的直接/间接带隙值

吸收系数谱：采集200-2500nm波长区间吸收特性曲线

Urbach能量：分析0.01-0.2eV范围内的带尾态参数

激子结合能：检测0.5-150meV激子特征能量

缺陷能级分布：识别0.3-2.5eV深能级缺陷态密度

检测范围

Ⅲ-Ⅴ族半导体：GaAs、InP、GaN等单晶/薄膜材料

光伏材料：钙钛矿、CIGS、CdTe等太阳能电池吸收层

宽禁带半导体：SiC、AlN、金刚石等高温器件材料

二维材料：MoS₂、WS₂、石墨烯异质结

有机半导体：P3HT、PCBM等光伏聚合物材料

检测方法

紫外-可见分光光度法：ASTM E2083、ISO 18451-5、GB/T 32649

光致发光谱(PL)：IEC 62969、GB/T 36356

椭圆偏振光谱法：ASTM E1792、ISO 14707

光热偏转谱(PDS)：ISO 18562、GB/T 40070

光电子能谱(XPS/UPS)：ISO 18118、GB/T 29558

检测设备

紫外可见近红外分光光度计：PerkinElmer Lambda 1050+，光谱范围175-3300nm，分辨率0.05nm

低温光致发光系统：Horiba LabRAM HR Evolution，温度范围4-500K，检测限＜1×10¹⁴cm^-3

光谱椭偏仪：J.A. Woollam M-2000XI，入射角15-90°，波长范围190-2500nm

光热偏转谱系统：定制化PDS-2000，调制频率10Hz-10kHz，灵敏度Δn/n≈10^-6

多功能光电子能谱仪：Thermo Scientific K-Alpha+，能量分辨率＜0.5eV，探测深度1-10nm