1.晶格面曲率半径测量:分辨率≤0.01nm⁻,测量范围0.1-500μm⁻
2.局部畸变梯度分析:精度0.05%,梯度范围0.001-10%
3.晶界偏移量计算:误差≤0.2nm,适用偏移量0.5-200nm
4.三维晶格弯曲角度分布:角度分辨率0.01,范围0-15
5.缺陷密度关联性评估:基于曲率-位错密度模型(Burgers矢量法)
1.金属合金:钛合金、镍基高温合金等锻造/铸造件
2.半导体材料:SiC单晶衬底、GaN外延层
3.陶瓷材料:氧化锆增韧陶瓷、氮化硅结构件
4.高分子材料:液晶聚合物薄膜、取向结晶纤维
5.复合材料:碳纤维增强环氧树脂基体界面层
1.X射线衍射法:ASTME1426(微区劳厄衍射)、ISO24173(电子背散射衍射)
2.透射电镜法:GB/T23414-2009(纳米束衍射技术)
3.同步辐射拓扑成像:ISO21466:2020(白光光束三维重构)
4.中子衍射法:GB/T36085-2018(大体积样品宏观曲率测量)
5.拉曼光谱法:ASTME2523(应力诱导频移校准)
1.RigakuD/MAXRapidII微区X射线衍射仪:配备200μm准直器与IP探测器
2.TESCANMira3SEM-EBSD系统:分辨率1nm,角度精度0.5
3.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜:STEM模式晶格畸变成像
4.BrukerD8Discover高分辨衍射仪:Cu靶光源+二维Vantec500探测器
5.ZeissXradia620Versa显微CT:50nm空间分辨率三维重构
6.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台:薄膜掠入射曲率分析模块
7.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器:高速CMOS相机(400fps)
8.HORIBALabRAMHREvolution拉曼光谱仪:532nm激光+1800gr/mm光栅
9.BrukerDektakXT轮廓仪:曲率半径间接测量模式(接触式)
10.ThermoFisherHeliosG4UXeFIB-SEM:原位样品制备与TEM联用系统
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与晶格曲率检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。