小平面尺寸测量:测量范围0.1-500μm,精度±0.05μm
分布密度统计:单位面积内小平面数量(5-200个/mm²)
取向角度分析:晶体学取向偏差角(±0.1°~±15°)
表面粗糙度评估:Ra值0.01-10μm范围内分级量化
裂纹扩展路径追踪:记录裂纹长度增量(1-1000μm)及分叉频率
金属合金:铝合金(AA 2000/7000系列)、钛合金(Ti-6Al-4V)
陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)烧结体
单晶材料:硅单晶(Si<100>/<111>)、蓝宝石(α-Al₂O₃)
复合材料:碳纤维增强环氧树脂基复合材料(CFRP)
地质矿物:石英(SiO₂)、方解石(CaCO₃)解理面
ASTM E112:晶粒度测定法用于关联解理面与晶界分布关系
ISO 25178-2:表面纹理分析规范解理面三维形貌参数提取流程
GB/T 6394-2017:金属平均晶粒度测定方法扩展至解理面统计计算
ASTM E384-22:显微硬度压痕法诱导可控解理裂纹扩展路径研究
GB/T 10610-2009:表面粗糙度比较样块法校准解理面Ra值测量系统
场发射扫描电子显微镜(SEM): 蔡司Sigma 500, 分辨率0.8nm@15kV, 配备牛津X-MaxN 80能谱仪(EDS)
电子背散射衍射仪(EBSD): TSL OIM Analysis v8.0, 取向标定精度±0.5°
激光共聚焦显微镜: 奥林巴斯LEXT OLS5000, Z轴分辨率1nm, 3D形貌重构功能
X射线衍射仪(XRD): Rigaku SmartLab, 2θ角度范围5°-160°, 织构分析模块
纳米压痕仪: Hysitron TI Premier, 载荷分辨率50nN, 原位SEM观测功能
金相试样切割机: Struers Secotom-50, 切割速度0.01-3mm/s可调, 冷却液温控系统
离子研磨仪: Hitachi IM4000Plus, 氩离子束能量1-6kV可调, 断面处理时间≤4h
三维表面轮廓仪: Bruker ContourGT-X8, 垂直分辨率0.01nm, 扫描面积100×100mm²
高温拉伸试验机: Instron 8862, 温度范围RT-1200℃, 载荷容量100kN
>聚焦离子束系统(FIB)/强>: FEI Helios G4 UX, Ga+离子束能量30kV, TEM样品制备功能
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与解理小平面检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。