检测项目

1.图形分辨率检测：测量最小可分辨线宽/间距（10nm-500nm），采用CD-SEM进行纳米级精度验证

2.线宽均匀性检测：全片CDU（CriticalDimensionUniformity）≤3%，局部区域波动值≤1.5%

3.套刻精度（Overlay）检测：X/Y轴对准偏差≤2nm（先进制程），多层套刻累积误差＜5nm

4.缺陷密度分析：单位面积内颗粒缺陷数＜0.01个/cm（Class1洁净度要求）

5.膜厚均匀性检测：光刻胶厚度偏差≤1.5%（300nm基准膜厚），边缘去除区＜3mm

检测范围

1.硅基半导体晶圆：8英寸/12英寸晶圆的逻辑电路与存储器件图形结构

2.光掩模版（Photomask）：铬膜/相移掩模的图形保真度与透射率一致性

3.光刻胶涂层材料：化学放大胶（CAR）、负性胶的显影后形貌特征

4.MEMS器件：微机械结构的侧壁垂直度（85-90）与深宽比（10:1至50:1）

5.光学元件：衍射光学元件（DOE）的周期结构重复精度≤0.05μm

检测方法

国际标准：ASTMF1811-18（光刻胶热流变特性测试）、ISO14644-5（洁净室悬浮粒子计数法）

国家标准：GB/T30270-2013（微电子制造用图形尺寸测量方法）、GB/T16594-2008（微米级长度扫描电镜测量法）

行业规范：SEMIP35-1108（晶圆表面缺陷分类标准）、ITRS技术路线图（套刻精度分级指标）

检测设备

1.KLA-TencorATL™系列自动缺陷检测系统：搭载365nm激光光源，支持全晶圆0.09μm缺陷识别

2.HitachiCG6300扫描电子显微镜：配备低加速电压模式（0.5kV），实现非破坏性线宽测量

3.BrukerContourGT-X3白光干涉仪：垂直分辨率0.1nm，用于三维形貌重构与台阶高度测量

4.NikonMM-800系列测量显微镜：配置激光干涉定位系统，套刻误差测量重复性0.3nm

5.VeecoNT9100光学轮廓仪：支持300mm晶圆全自动扫描，膜厚测量速度＞200点/分钟

6.ASMLYieldStarS-200量测机：基于散射计量技术实现实时工艺监控

7.ZygoNewView™9000非接触式表面分析仪：RMS粗糙度测量范围0.01-100μm

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：干法刻蚀速率标定设备

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与光刻法检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。