检测项目

1.电性能参数：击穿电压（≥800V@25℃）、漏电流（≤1μA@额定电压）、导通电阻（≤50mΩ）

2.材料成分分析：Al含量（12-18wt%）、Ga含量（5-8wt%）、杂质元素总量（≤0.05%）

3.热稳定性测试：温度循环（-55℃至+150℃，1000次）、热阻系数（≤1.2℃/W）

4.机械性能测试：抗拉强度（≥300MPa）、维氏硬度（HV0.3≥180）

5.封装可靠性验证：气密性（氦质谱检漏率≤110^-9Pam/s）、焊点剪切力（≥15N）

检测范围

1.硅基合金晶体管：用于高频开关电源模块

2.锗基合金晶体管：适用于低温环境传感器

3.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：功率范围5W-2000W

4.高电子迁移率晶体管（HEMT）：工作频率40GHz以上

5.功率晶体管模块：集成式封装结构

检测方法

1.电性能测试：ASTMF1244-2018直流参数测试法、GB/T4587-1994半导体器件额定值验证

2.材料分析：ISO14707:2015辉光放电光谱法、GB/T20123-2006电感耦合等离子体原子发射光谱法

3.热特性评估：ASTME831-2019热膨胀系数测定、GB/T13301-1991器件热阻测试规程

4.机械特性检测：ISO6892-1:2019金属拉伸试验、GB/T228.1-2021金属材料拉伸试验

5.封装测试：MIL-STD-883Method1014密封性试验、GB/T4937-2012半导体器件机械环境试验

检测设备

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与合金晶体管检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。