电子束曝光检测

检测项目

1. 束斑直径测量：采用铂铱合金标样测试0.5-10 nm范围分辨率

2. 加速电压稳定性：20-100 kV区间波动值≤±0.05%

3. 束流密度均匀性：扫描场范围内偏差＜±1.5%

4. 套刻精度验证：多层对准误差≤±3 nm（3σ）

5. 抗蚀剂灵敏度测试：测量临界剂量EC50值（10-200 μC/cm²）

6. 边缘粗糙度分析：线宽边缘LWR≤1.5 nm（@20nm线宽）

检测范围

1. 半导体材料：硅基片、SOI晶圆、III-V族化合物半导体

2. 光刻胶体系：PMMA系列、HSQ、ZEP520A等电子束专用抗蚀剂

3. 掩模版材料：石英基Cr膜、MoSi薄膜（厚度80-120nm）

4. MEMS器件：微机械陀螺结构件（特征尺寸≥50nm）

5. 纳米光学元件：超表面结构（周期200-500nm）

6. 量子器件：约瑟夫森结阵列（线宽≤30nm）

检测方法

ASTM F42-08(2020)：电子束光刻系统性能测试方法

ISO 14644-1:2015洁净室环境粒子浓度控制标准

GB/T 30276-2013纳米级电子束曝光系统通用规范

SEMI P35-1108电子束光刻机验收测试规程

IEC 60749-39:2021半导体器件机械应力测试方法

GB/T 35098-2018微纳加工技术术语与定义

检测设备

1. Elionix ELS-G100：配备200kV冷场发射源，最小束斑0.8nm

2. Raith Voyager：支持100mm晶圆直写，配备Laser干涉定位系统

3. Hitachi HL800D：高电流密度模式（50A/cm²）专用测试平台

4. Zeiss GeminiSEM 500：集成EDS的纳米结构形貌分析系统

5. Bruker Dimension Icon AFM：扫描范围90μm×90μm，Z轴分辨率0.1nm

6. KLA eDR7200：电子束缺陷检测系统（灵敏度≤10nm）

7. Oxford Instruments Symmetry EBSD：晶体取向分析模块

8. Park Systems NX20：非接触式三维表面轮廓仪

9. JEOL JIB-4700F：多束流协同加工系统（FIB+EBL）

10. Thermo Fisher Helios G4 UX：双束电镜配备STEM探测器

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"电子束曝光检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。