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概述:检测项目1.原子间结合力测定:测量范围0.1-100nN/atom,精度0.05nN/atom2.晶格畸变能分析:分辨率达0.001,可识别10⁻⁴级应变3.残余应力分布测绘:空间分辨率50μm,应力范围2000MPa4.位错密度计算:检测下限10⁶cm/cm,误差率≤3%5.相界面能量测定:适用温度范围-196℃~1200℃,精度0.5mJ/m检测范围1.金属合金:包括铝合金(AA2024/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)等航空航天材料2.半导体材料:硅晶圆(<100>/<11
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
1.原子间结合力测定:测量范围0.1-100nN/atom,精度0.05nN/atom
2.晶格畸变能分析:分辨率达0.001,可识别10⁻⁴级应变
3.残余应力分布测绘:空间分辨率50μm,应力范围2000MPa
4.位错密度计算:检测下限10⁶cm/cm,误差率≤3%
5.相界面能量测定:适用温度范围-196℃~1200℃,精度0.5mJ/m
1.金属合金:包括铝合金(AA2024/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)等航空航天材料
2.半导体材料:硅晶圆(<100>/<111>取向)、GaN外延层等电子器件基材
3.高分子聚合物:聚酰亚胺薄膜(厚度10-200μm)、碳纤维增强复合材料
4.陶瓷材料:氧化锆(YSZ)、碳化硅(SiC)等高温结构陶瓷
5.纳米涂层:类金刚石薄膜(DLC)、氮化钛(TiN)镀层(厚度50-500nm)
ASTME915-22:残余应力测定标准(X射线衍射法)
ISO24173:2022:电子背散射衍射(EBSD)晶体取向分析
GB/T13221-2021:纳米薄膜界面结合强度测试规范
ASTMF1946-22:半导体晶格缺陷表征规程
GB/T38532-2020:微束X射线应力测定方法
1.X'PertMRDXL型X射线衍射仪:配备HyPix-3000探测器,实现0.0001步进扫描
2.HeliosG4UXe聚焦离子束系统:集成EDS/EBSD模块,定位精度1nm
3.DimensionIcon原子力显微镜:峰值力轻敲模式,力灵敏度0.1pN
4.ZEISSCrossbeam550电镜系统:配备GeminiII镜筒,分辨率0.6nm@15kV
5.ProtoLXRD残余应力分析仪:Cr-Kα辐射源(λ=2.2897),ψ角范围45
6.BrukerD8DISCOVER衍射仪:VANTEC-500二维探测器,帧速率100fps
7.KeysightNanoIndenterG200:连续刚度测量模式(CSM),位移分辨率0.01nm
8.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器:Hough分辨率≥80,采集速度4000点/秒
9.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台:预校准Cu靶(Kα1=1.5406),2θ范围0-168
10.HitachiHF5000透射电镜:冷场发射枪,点分辨率0.07nm@200kV
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"原子内力检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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