分子束散射检测概述:检测项目1.表面粗糙度分析:测量Ra值范围0.1-10nm,空间分辨率达50μm2.薄膜厚度测定:精度0.5nm(1-1000nm厚度范围)3.晶格畸变检测:晶格常数测量误差≤0.0054.吸附分子取向角:角度分辨率2(0-90测量范围)5.能量传递效率:动能损失测量精度0.05eV(0-10eV范围)检测范围1.半导体材料:硅基晶圆、砷化镓外延片等纳米电子器件基材2.金属薄膜:金/铝/铜薄膜电极(厚度10-200nm)3.高分子聚合物:聚酰亚胺绝缘层表面改性涂层4.陶瓷涂层:氮化硅/碳化硅耐高温防护层5
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1.表面粗糙度分析:测量Ra值范围0.1-10nm,空间分辨率达50μm
2.薄膜厚度测定:精度0.5nm(1-1000nm厚度范围)
3.晶格畸变检测:晶格常数测量误差≤0.005
4.吸附分子取向角:角度分辨率2(0-90测量范围)
5.能量传递效率:动能损失测量精度0.05eV(0-10eV范围)
1.半导体材料:硅基晶圆、砷化镓外延片等纳米电子器件基材
2.金属薄膜:金/铝/铜薄膜电极(厚度10-200nm)
3.高分子聚合物:聚酰亚胺绝缘层表面改性涂层
4.陶瓷涂层:氮化硅/碳化硅耐高温防护层
5.生物材料:蛋白质/多糖复合膜表面吸附特性
ASTME673-21《表面分析标准术语》规定的散射强度校准规范
ISO18115-1:2023《表面化学分析-词汇》能损谱解析方法
GB/T23414-2009《微束分析术语》入射角控制技术要求
GB/T28894-2012《表面化学分析数据报告格式》记录规范
ISO20903:2019《硬X射线光电子能谱(HXPS)》深度剖析方法
TOF-SIMSIV型飞行时间二次离子质谱仪:配备20keVGa+离子源,质量分辨率m/Δm≥15000
XPSThermoScientificK-Alpha+:单色AlKαX射线源(1486.6eV),能量分辨率0.5eV
LEEDOptrelaxMultichannelSystem:低能电子衍射仪,最大加速电压5kV
MBE-4000分子束外延系统:配备四极质谱仪残余气体分析模块
TDC8时间数字转换器:时间分辨率82ps,支持多通道符合测量
PHI5000VersaProbeIII:聚焦离子束刻蚀系统,束斑直径≤10nm
Agilent8500FD分子束沉积仪:基片温度控制范围-150℃至+500℃
SPECSPhoibos150半球形分析器:能量分析精度0.05eV
K-SpaceAssociatesKSA400:原位反射高能电子衍射系统
OxfordInstrumentsOpalCCD探测器:量子效率>90%(200-850nm)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与分子束散射检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。