检测项目
平均沟道宽度：测量范围50nm-500μm，分辨率±1nm
宽度均匀性偏差：全区域扫描检测CV值≤3%
深度-宽度比：测量精度±0.05（适用于高深宽比结构）
边缘粗糙度（LER）：Ra值检测范围0.5-50nm
横向位置偏差：定位精度±0.1μm（基于基准标记）
检测范围
半导体晶圆：硅基/化合物半导体刻蚀沟道
MEMS器件：加速度计/陀螺仪微结构通道
PCB电路板：高频信号传输线微带结构
光学薄膜：衍射光栅周期沟槽阵列
金属微结构：微流控芯片注塑模具型腔
检测方法
ASTM F1248-16：基于扫描探针显微镜的纳米尺度测量规范
ISO 14606:2015：表面轮廓法测量微结构尺寸标准流程
GB/T 18900-2021：半导体器件几何尺寸测试通用要求
GB 11297.3-2015：激光干涉法测量微细结构技术规范
ISO 25178-6:2010：非接触式光学三维表面测量方法
检测设备
Bruker Dektak XT轮廓仪：垂直分辨率0.1nm，最大扫描长度200mm
Keyence VR-5000 3D扫描仪：白光干涉模式Z轴重复精度±3nm
Zeiss Sigma 500场发射扫描电镜：配备GEMINI镜筒，分辨率0.6nm@15kV
Park NX20原子力显微镜：非接触模式XY分辨率0.2nm
Nikon MM-400测量显微镜：双远心光学系统，放大倍率50X-2000X