检测项目

平均沟道宽度：测量范围50nm-500μm，分辨率±1nm

宽度均匀性偏差：全区域扫描检测CV值≤3%

深度-宽度比：测量精度±0.05（适用于高深宽比结构）

边缘粗糙度（LER）：Ra值检测范围0.5-50nm

横向位置偏差：定位精度±0.1μm（基于基准标记）

检测范围

半导体晶圆：硅基/化合物半导体刻蚀沟道

MEMS器件：加速度计/陀螺仪微结构通道

PCB电路板：高频信号传输线微带结构

光学薄膜：衍射光栅周期沟槽阵列

金属微结构：微流控芯片注塑模具型腔

检测方法

ASTM F1248-16：基于扫描探针显微镜的纳米尺度测量规范

ISO 14606:2015：表面轮廓法测量微结构尺寸标准流程

GB/T 18900-2021：半导体器件几何尺寸测试通用要求

GB 11297.3-2015：激光干涉法测量微细结构技术规范

ISO 25178-6:2010：非接触式光学三维表面测量方法

检测设备

Bruker Dektak XT轮廓仪：垂直分辨率0.1nm，最大扫描长度200mm

Keyence VR-5000 3D扫描仪：白光干涉模式Z轴重复精度±3nm

Zeiss Sigma 500场发射扫描电镜：配备GEMINI镜筒，分辨率0.6nm@15kV

Park NX20原子力显微镜：非接触模式XY分辨率0.2nm

Nikon MM-400测量显微镜：双远心光学系统，放大倍率50X-2000X

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与沟道宽度检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。