各向异性刻蚀检测
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2025-03-29 09:46:38
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各向异性刻蚀检测概述：各向异性刻蚀检测是微纳加工领域的关键质量控制环节，通过精确测量刻蚀形貌、深度均匀性及侧壁特征等参数，确保器件性能与设计一致性。核心检测指标包括刻蚀速率、选择比、侧壁角度及表面粗糙度等，需结合高精度仪器与国际标准方法进行系统性验证。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。
☌ 询价
检测项目
1. 刻蚀速率：测量单位时间材料去除量（μm/min），精度±0.5nm/min
2. 选择比：计算目标材料与掩膜/底层材料的刻蚀速率比值（≥20:1）
3. 侧壁角度：通过SEM测量侧壁与基底夹角（88°-92°为典型控制范围）
4. 深度均匀性：全片厚度偏差≤±2%（300mm晶圆）
5. 表面粗糙度：原子力显微镜（AFM）测量Ra值≤0.5nm
检测范围
1. 单晶硅/多晶硅：用于MEMS器件及3D NAND结构
2. 二氧化硅/氮化硅：应用于浅沟槽隔离（STI）工艺
3. III-V族化合物半导体：GaAs/AlGaAs激光器刻蚀
4. 金属材料：Al/Cu互连线及TSV结构
5. 光刻胶/硬掩膜：DUV/EUV光刻图形转移验证
检测方法
1. ASTM E986-04(2020)：扫描电镜（SEM）侧壁形貌表征规范
2. ISO 14707:2015：辉光放电光谱法测定刻蚀深度
3. GB/T 32281-2015：半导体器件微结构尺寸测量方法
4. ASTM F1810-97(2021)：原子力显微镜表面粗糙度测试规程
5. GB/T 35099-2018：微机电系统（MEMS）工艺检测通则
检测设备
1. Hitachi SU5000场发射扫描电镜：分辨率1nm@15kV，配备EBSD晶体取向分析模块
2. KLA Tencor P-7台阶仪：垂直分辨率0.1Å，最大扫描长度200mm
3. Bruker Dimension Icon原子力显微镜：ScanAsyst模式自动表面形貌分析
4. Oxford Instruments PlasmaPro 100深硅刻蚀机：集成终点检测系统（EPD）
5. Thermo Scientific Nexsa XPS表面分析仪：空间分辨率7.5μm的化学态分析
6. Zygo NewView 9000白光干涉仪：垂直分辨率0.1nm的3D形貌重建
7. Veeco DektakXT轮廓仪：12mm量程下重复性±0.75nm
8. Horiba LabRAM HR Evolution拉曼光谱仪：532nm激光波长下的应力分布测试
9. Leica DM8000M金相显微镜：5000:1动态对比度成像系统
10. Keysight 5500LS原子力显微镜：专利的PicoTREC热驰豫分析技术
北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
以上是与各向异性刻蚀检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。