检测项目

1.元素组成分析：Si含量（30-70%）、Al含量（25-65%）、杂质元素（Fe≤0.5%、Ca≤0.3%）

2.膜层厚度测量：单层厚度（5-200μm）、总厚度误差（2.5μm）

3.表面粗糙度：Ra值（0.1-3.2μm）、Rz值（1.6-25μm）

4.界面结合强度：剪切强度（≥15MPa）、剥离强度（≥8N/mm）

5.热膨胀系数：20-300℃范围内CTE（4.5-7.210⁻⁶/℃）

检测范围

1.半导体用硅铝复合薄膜（晶圆级封装材料）

2.航空航天涂层（涡轮叶片防护层）

3.电子元件键合层（IC封装引线框架）

4.光伏电池电极材料（背场铝硅合金层）

5.金属基复合材料（碳化硅增强铝基体）

检测方法

ASTMB568-18采用X射线荧光法测定镀层厚度

ISO14707:2015辉光放电光谱法进行元素深度剖析

GB/T17359-2023电子探针显微分析技术规范

ASTME384-22显微硬度测试标准（载荷0.1-1kgf）

GB/T228.1-2021金属材料拉伸试验方法

检测设备

ThermoFisherARLQUANT'XEDXRF：元素成分快速分析（检出限0.01%）

HitachiSU5000场发射扫描电镜：界面形貌观测（分辨率1nm）

BrukerD8ADVANCEXRD：晶体结构分析（2θ角5-90）

KeysightNanoIndenterG200：纳米压痕测试（载荷分辨率50nN）

MitutoyoSJ-410表面轮廓仪：三维粗糙度测量（纵向分辨率0.01μm）

Instron5967万能试验机：力学性能测试（最大载荷30kN）

PerkinElmerSTA8000同步热分析仪：热膨胀系数测定（升温速率0.1-50℃/min）

OxfordInstrumentsGDS850A辉光放电光谱仪：深度剖析（溅射速率0.1-10μm/min）