1. 线宽精度:测量实际线宽与设计值的偏差范围(±2 nm)
2. 表面粗糙度:采用Ra值评估加工表面质量(≤0.5 nm)
3. 侧壁角度:测量图形侧壁垂直度(88°-92°)
4. 深宽比:评估三维结构比例精度(误差≤3%)
5. 图形定位精度:测量特征图形的位置偏移量(≤10 nm)
1. 半导体材料:硅基片、GaAs基片等III-V族化合物半导体
2. 光学元件:衍射光学元件(DOE)、微透镜阵列
3. 金属薄膜:金/铂纳米结构电极
4. 光刻胶材料:PMMA、HSQ等高分辨率抗蚀剂
5. MEMS器件:微机械陀螺仪、加速度计结构
1. ASTM F1375-92(2020):离子束加工表面形貌分析方法
2. ISO 14606:2017:微电子器件离子束加工参数规范
3. GB/T 35098-2018:微纳加工离子束曝光系统性能测试方法
4. GB/T 39143-2020:纳米级线宽测量扫描电镜法
5. ISO 13095:2014:原子力显微镜表面形貌分析标准
1. Zeiss Orion NanoFab:聚焦离子束系统(30kV加速电压,5nm分辨率)
2. Hitachi IM4000Plus:氩离子截面抛光仪(低损伤截面制备)
3. Bruker Dimension Icon:原子力显微镜(0.1nm垂直分辨率)
4. FEI Helios G4 UX:双束电镜系统(0.7nm成像分辨率)
5. KLA-Tencor HRP320:光学轮廓仪(0.1nm纵向分辨率)
6. Park NX-Hivac:真空原子力显微镜(10^-6 Torr环境控制)
7. Oxford Instruments Symmetry:电子背散射衍射仪(晶体取向分析)
8. Leica EM TXP:精密样品处理系统(纳米级定位精度)
9. Keysight 9500 AFM:高速原子力显微镜(每秒10帧扫描速度)
10. JEOL JIB-4700F:场发射离子束系统(1nm加工精度)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与离子束光刻检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。