检测项目

1.晶体结构完整性检测：位错密度（≤10cm⁻）、晶格畸变率（≤0.05%）

2.热力学稳定性验证：热膨胀系数偏差（0.510⁻⁶/K）、相变温度精度（1.5℃）

3.表面缺陷分析：微管缺陷密度（≤5个/cm）、台阶流均匀性（RMS≤2nm）

4.掺杂均匀性测试：杂质浓度梯度（≤3%/μm）、掺杂效率（≥92%）

5.结晶取向测定：晶向偏离角（≤0.5）、孪晶比例（≤0.1%）

检测范围

1.半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)

2.光学功能晶体：铌酸锂(LiNbO₃)、氟化钙(CaF₂)、蓝宝石(Al₂O₃)

3.超硬晶体材料：金刚石(C)、立方氮化硼(c-BN)

4.压电晶体材料：石英(SiO₂)、钽酸锂(LiTaO₃)

5.化合物半导体衬底：磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME1426/GB/T23413-2009晶格常数测定

2.电子背散射衍射：ISO24173:2009晶体取向分析

3.化学腐蚀法：GB/T1554-2016位错密度测试

4.光致发光谱法：IEC62969-3:2017缺陷态密度检测

5.同步辐射形貌术：ISO/TS21383:2021三维缺陷表征

检测设备

1.场发射扫描电镜：HitachiSU8220（表面形貌观察/缺陷分析）

2.X射线衍射仪：BrukerD8ADVANCE（晶格常数测量精度0.0001nm）

3.激光共聚焦显微镜：OlympusLEXTOLS5000（三维表面粗糙度测量）

4.高分辨透射电镜：JEOLJEM-ARM300F（原子级缺陷观测）

5.热场发射电子探针：ShimadzuEPMA-8050G（元素分布分析）

6.X射线形貌仪：RigakuXRTmicron（位错密度测量分辨率10cm⁻）

7.低温光致发光系统：HoribaLabRAMHREvolution（77K低温缺陷检测）

8.分子束外延在线监测仪：RiberEFM600（实时生长速率监控）

9.激光干涉仪：ZygoVerifireMST（晶体翘曲度测量精度λ/100）

10.高温XRD系统：MalvernPanalyticalEmpyrean（1600℃原位结构分析）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与晶体生长理论检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。