异号位错检测概述:检测项目1.位错密度测量:定量分析单位体积内异号位错数量级(10^4-10^8cm^-2)2.位错分布形态表征:包括线状位错网络、缠结结构及胞状组织的空间分布3.伯氏矢量测定:通过衍射衬度法确定b矢量方向偏差(精度0.01nm)4.位错运动特性分析:临界分切应力测试(0.1-500MPa量程)5.异号位错相互作用强度:采用HR-EBSD测量局部晶格畸变(角度分辨率0.01)检测范围1.金属合金:钛基高温合金涡轮叶片中的α/β相界面位错2.半导体材料:硅晶圆(111)面滑移位错的亚表面分布3.陶瓷材料:Al
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.位错密度测量:定量分析单位体积内异号位错数量级(10^4-10^8cm^-2)
2.位错分布形态表征:包括线状位错网络、缠结结构及胞状组织的空间分布
3.伯氏矢量测定:通过衍射衬度法确定b矢量方向偏差(精度0.01nm)
4.位错运动特性分析:临界分切应力测试(0.1-500MPa量程)
5.异号位错相互作用强度:采用HR-EBSD测量局部晶格畸变(角度分辨率0.01)
1.金属合金:钛基高温合金涡轮叶片中的α/β相界面位错
2.半导体材料:硅晶圆(111)面滑移位错的亚表面分布
3.陶瓷材料:Al2O3-ZrO2复相陶瓷晶界位错钉扎效应
4.复合材料:碳纤维增强铝基复合材料的界面位错群
5.单晶材料:蓝宝石衬底生长GaN薄膜的穿透位错密度
1.ASTME112-13:金相显微镜定量位错密度测定法
2.ISO643:2019:透射电镜(TEM)伯氏矢量标定规程
3.GB/T13298-2015:金属显微组织检验方法
4.ISO24173:2009:电子背散射衍射(EBSD)晶体取向分析
5.GB/T39488-2020:X射线衍射(XRD)位错密度计算规范
1.FEITecnaiG2F30场发射透射电镜:300kV加速电压,0.19nm点分辨率
2.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪:CuKα辐射源(λ=0.15406nm)
3.ZeissCrossbeam550聚焦离子束扫描电镜:5nm电子束分辨率
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器:全菊池带采集速度≥3000pps
5.ShimadzuHMV-G21显微硬度计:载荷范围0.01-2000gf
6.KeysightNanoIndenterG200:连续刚度测量模式(CSM)
7.MalvernPanalyticalEmpyreanX射线衍射仪:高温附件支持1600℃原位测试
8.JEOLJEM-ARM300F原子分辨率电镜:信息极限0.08nm
9.LeicaDM2700M金相显微镜:500万像素CCD图像采集系统
10.Agilent5500原子力显微镜:接触/非接触双模式扫描
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与异号位错检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。