反向阻断晶闸管检测

检测项目

正向阻断电压（V_DRM）：测试范围0-5000V@T_j=25℃~125℃

反向击穿电压（V_RRM）：最大测试值6000V@di/dt≤50A/μs

触发电流（I_GT）：测量精度±0.1mA@V_AK=12V

维持电流（I_H）：测试条件T_case=85℃±2℃

热阻（R_thJC）：测量误差≤5%@P_diss=200W

检测范围

工业变频器用高压晶闸管模块（3.3kV/5kA级）

轨道交通牵引变流器快速恢复型晶闸管

光伏逆变器用高频低损耗晶闸管组件

HVDC输电系统用光触发晶闸管单元

电磁炉/感应加热设备用双向晶闸管器件

检测方法

IEC 60747-6:2022《半导体器件-晶闸管测试方法》

GB/T 15291-2015《半导体器件分立器件第6部分：晶闸管》

ASTM F1248-16(2021)功率半导体热特性测试标准

ISO 16750-2:2012道路车辆电气环境条件试验规范

GB/T 2423.17-2008盐雾试验方法（CASS试验）

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持6000V/1000A脉冲测试

Tektronix MSO64B示波器：带宽6GHz@采样率25GS/s

Chroma 19032功率循环测试系统：温度控制精度±0.5℃

ESPEC PL-3KPH气候试验箱：温变速率15℃/min可调

Siemens SIMOREG CM整流器平台：动态负载模拟能力±10%阶跃响应≤1ms

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"反向阻断晶闸管检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。