检测项目

反向击穿电压：DC 0-100kV可调，测量精度±0.5% FS

泄漏电流稳定性：0.1nA-10mA量程，分辨率1pA

介质恢复时间：1ns-10s时间窗口，采用IEC 62271-304标准触发机制

表面碳化轨迹：依据ASTM D495测定电痕化指数（CTI）

热应力耐受：-70℃至300℃交变温箱，符合MIL-STD-202G方法108

检测范围

宽禁带半导体材料：SiC/GaN功率器件的雪崩击穿特性验证

高压绝缘介质：环氧树脂、聚酰亚胺薄膜等材料的沿面放电评估

真空灭弧室：触头材料在10^-3 Pa环境下的介质恢复能力

航天器用线缆组件：MIL-DTL-22759标准规定的反向闪络测试

新能源连接器：光伏逆变器端子1500V DC逆弧寿命测试

检测方法

脉冲电压法：按IEEE 4-2013标准搭建1.2/50μs冲击波形系统

阶梯升压法：执行IEC 61621规定的每级10kV/30s加压流程

高速光学诊断：采用Phantom VEO 710L高速摄像机（106fps）捕捉电弧形态

热成像分析：FLIR T865红外热像仪检测局部过热区域

介质损耗测试：基于IEC 60250的LCR测量法（10Hz-10MHz）

检测设备

Hipotronics AC/DC 200kV测试系统：具备自动极性反转功能，上升速率0.1kV/s-5kV/s可调

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持1000A/10kV级动态特性测试

Thermo Scientific MK53恒温箱：温变速率15℃/min，均匀度±0.5℃

Omicron MPD 600局部放电检测仪：100pC分辨率，符合IEC 60270标准

Amptek XR-100CR X射线能谱仪：分析电极材料烧蚀产物成分

技术优势

获CNAS（注册号：详情请咨询工程师）和NADCAP（认证号N5678）双重认可

配备EMC屏蔽室（30dB@1GHz）和Class 1000洁净检测区

计量溯源至NIST标准，设备年校准不确定度≤0.02%

检测团队持有ASNT III级证书和IPC CID+资质

支持ASTM D1868、IEC 62196等12项国际标准检测能力

　　以上是与逆弧测试相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。