检测项目

1. 晶体直径偏差：采用激光测径仪实时监测直径波动范围（±0.3-0.8mm）

2. 位错密度测定：通过化学腐蚀法结合显微镜观测（分辨率0.1μm）

3. 氧含量分析：傅里叶红外光谱法测量（检测限5×10¹⁵ atoms/cm³）

4. 电阻率均匀性：四探针法测试轴向/径向分布（精度±0.5%）

5. 晶向偏离度：X射线衍射仪测定（精度±0.01°）

检测范围

1. 太阳能级单晶硅锭（直径200-300mm）

2. 半导体用锗单晶（4-8英寸晶圆）

3. 蓝宝石晶体（轴向长度≤500mm）

4. 碳化硅单晶衬底（厚度350-500μm）

5. 磷化铟单晶材料（载流子浓度1×10¹⁶-1×10¹⁹ cm⁻³）

检测方法

1. ASTM F1723：单晶硅直径测量规程

2. ISO 14707：晶体缺陷密度表征方法

3. GB/T 1558-2021：硅中氧含量红外吸收测量

4. GB/T 14144-2022：硅单晶电阻率测定规范

5. JIS H 0605：晶体取向X射线衍射测试标准

检测设备

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与单晶拉制检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。