检测项目

比接触电阻率（ρc）：采用传输线模型（TLM）测量，精度范围110⁻⁸~110⁻⁴Ωcm

界面附着力强度：通过划痕法测试临界载荷值（Lc），分辨率0.1N/mm

热稳定性：高温存储试验（HTST）温度范围-65℃~300℃，时长1000小时

表面粗糙度（Ra）：原子力显微镜（AFM）测量精度0.1nm

元素扩散深度：二次离子质谱（SIMS）纵向分辨率≤5nm

检测范围

硅基半导体材料：包括n+/p+掺杂硅片及外延层

III-V族化合物半导体：GaAs、GaN、SiC等衬底金属化结构

金属薄膜体系：Ti/Pt/Au、Ni/Au、Al/TiW等叠层结构

功率器件电极：IGBT模块发射极/集电极接触层

先进封装互连：TSV铜柱与再分布层（RDL）界面

检测方法

ASTMF76-08(2016)：圆形传输线法测定比接触电阻率

ISO14577-4:2016：纳米压痕法评估界面机械性能

GB/T35011-2018：半导体器件金属化层热应力测试规范

JESD22-A117E：电子器件加速温湿度偏压试验标准

SJ/T11875-2023：化合物半导体欧姆接触制备与表征指南

检测设备

KEITHLEY2450SourceMeter：四探针法电阻率测量系统，电流分辨率10fA

BrukerDektakXTL轮廓仪：台阶高度测量精度1

ZEISSSigma500场发射扫描电镜：配备EDS实现纳米级元素分布分析

AgilentB1500A半导体参数分析仪：支持脉冲I-V特性测试模式

ShimadzuHMV-G21显微硬度计：最大载荷2000gf，定位精度0.1μm

ThermoFisherSCIOS2DualBeam：聚焦离子束（FIB）制备TEM样品截面

OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：干法刻蚀界面剖面制备系统

VeecoDimensionIcon原子力显微镜：峰值力轻敲模式表面形貌表征

ULVACMILA-5000膜厚测量仪：X射线荧光光谱（XRF）厚度分析精度0.5%

SUSSMicroTecPA300Pro：全自动探针台支持8英寸晶圆级测试