检测项目
比接触电阻率（ρc）：采用传输线模型（TLM）测量，精度范围110⁻⁸~110⁻⁴Ωcm
界面附着力强度：通过划痕法测试临界载荷值（Lc），分辨率0.1N/mm
热稳定性：高温存储试验（HTST）温度范围-65℃~300℃，时长1000小时
表面粗糙度（Ra）：原子力显微镜（AFM）测量精度0.1nm
元素扩散深度：二次离子质谱（SIMS）纵向分辨率≤5nm
检测范围
硅基半导体材料：包括n+/p+掺杂硅片及外延层
III-V族化合物半导体：GaAs、GaN、SiC等衬底金属化结构
金属薄膜体系：Ti/Pt/Au、Ni/Au、Al/TiW等叠层结构
功率器件电极：IGBT模块发射极/集电极接触层
先进封装互连：TSV铜柱与再分布层（RDL）界面
检测方法
ASTMF76-08(2016)：圆形传输线法测定比接触电阻率
ISO14577-4:2016：纳米压痕法评估界面机械性能
GB/T35011-2018：半导体器件金属化层热应力测试规范
JESD22-A117E：电子器件加速温湿度偏压试验标准
SJ/T11875-2023：化合物半导体欧姆接触制备与表征指南
检测设备
KEITHLEY2450SourceMeter：四探针法电阻率测量系统，电流分辨率10fA
BrukerDektakXTL轮廓仪：台阶高度测量精度1
ZEISSSigma500场发射扫描电镜：配备EDS实现纳米级元素分布分析
AgilentB1500A半导体参数分析仪：支持脉冲I-V特性测试模式
ShimadzuHMV-G21显微硬度计：最大载荷2000gf，定位精度0.1μm
ThermoFisherSCIOS2DualBeam：聚焦离子束（FIB）制备TEM样品截面
OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：干法刻蚀界面剖面制备系统
VeecoDimensionIcon原子力显微镜：峰值力轻敲模式表面形貌表征
ULVACMILA-5000膜厚测量仪：X射线荧光光谱（XRF）厚度分析精度0.5%
SUSSMicroTecPA300Pro：全自动探针台支持8英寸晶圆级测试