1.能级差测定:测量基态与激发态能量差值(0.1-10eV),精度0.005eV
2.跃迁概率分析:计算单位时间跃迁几率(10^6-10^14s^-1),误差≤3%
3.半衰期测试:记录激发态衰减至50%的时间(1ns-10ms)
4.量子产率评估:测定光致发光效率(0.01-100%)
5.温度依赖性研究:分析-196℃至300℃区间跃迁特性变化
1.III-V族半导体材料(GaAs、InP等)
2.稀土掺杂光学晶体(YAG:Ce⁺、YVO₄:Nd⁺等)
3.有机电致发光材料(Alq3、Ir(ppy)₃等)
4.量子点材料(CdSe/ZnS、CsPbBr₃等)
5.过渡金属配合物(Ru(bpy)₃⁺、Ir(piq)₂(acac)等)
1.ASTME1445-22《光谱法测定电子跃迁特性》
2.ISO18557:2017《材料光物理性能表征方法》
3.GB/T17304-2020《半导体材料能级测试规范》
4.GB11221-2018《荧光材料量子产率测定方法》
5.ISO19462:2019《时间分辨光谱测量技术指南》
1.ThermoScientificNicoletiS50FTIR光谱仪:红外吸收谱测量(4000-50cm⁻)
2.HoribaFluorolog-3荧光光谱仪:稳态/瞬态荧光测试(200-1700nm)
3.AgilentCary7000紫外可见近红外分光光度计:吸收谱分析(175-3300nm)
4.BrukerVertex80v真空傅里叶光谱仪:高分辨率远红外测试(0.6-6000cm⁻)
5.EdinburghInstrumentsFLS1000磷光寿命测试系统:时间分辨率达50ps
6.OxfordInstrumentsOptistatDN₂低温恒温器:温控范围4K-500K
7.HamamatsuC11347量子效率测量系统:绝对量子产率测定误差1%
8.KeysightB2902A精密源表:电流测量分辨率10fA
9.AndorSR-500i光谱响应测试平台:波长精度0.1nm
10.PerkinElmerLambda950UV/Vis/NIR分光光度计:吸光度测量范围8Abs
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与莫脱跃迁检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。