检测项目
1.耗尽层宽度测量：精度5nm，测量范围0.1-10μm
2.载流子浓度分布：分辨率110⁴~110⁹cm⁻
3.界面电势差测定：灵敏度10mV
4.空间电荷区电容特性：频率范围1kHz-10MHz
5.反向饱和电流密度：测量下限110⁻A/cm
6.击穿电压特性：测试电压范围0-3000V
检测范围
1.硅基半导体材料（单晶/多晶硅片）
2.III-V族化合物半导体（GaAs、InP等）
3.功率器件结构（MOSFET/IGBT芯片）
4.光伏器件（PERC/HJT太阳能电池）
5.光电探测器（APD/PIN二极管）
6.MEMS传感器压敏结结构
检测方法
1.ASTMF1393-18：汞探针C-V法载流子浓度测试
2.ISO16700:2019：TEM截面分析法测定耗尽层厚度
3.GB/T1551-2021：硅单晶电阻率直流四探针法
4.JISH0605:2018：扩展电阻法载流子分布分析
5.IEC60747-2:2020：半导体器件反向特性测试规范
6.GB/T4937-2018：半导体器件机械和气候试验方法
检测设备
1.KeysightB1500A半导体分析仪：I-V/C-V特性曲线测量
2.LakeShoreCRX-VF低温探针台：77K-500K变温测试系统
3.ThermoFisherESCALABXi+X射线光电子能谱仪：界面化学态分析
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：纳米级表面电势成像
5.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE刻蚀机：剖面制备系统
6.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：原子级界面结构表征
7.Agilent4294A精密阻抗分析仪：高频电容特性测试
8.SemilabWT-2000少子寿命测试仪：载流子复合特性分析
9.Keithley4200A-SCS参数分析仪：脉冲式击穿特性测试
10.ParkSystemsNX20原子力显微镜：表面电势梯度测量模块