检测项目

1.耗尽层宽度测量：精度5nm，测量范围0.1-10μm

2.载流子浓度分布：分辨率110⁴~110⁹cm⁻

3.界面电势差测定：灵敏度10mV

4.空间电荷区电容特性：频率范围1kHz-10MHz

5.反向饱和电流密度：测量下限110⁻A/cm

6.击穿电压特性：测试电压范围0-3000V

检测范围

1.硅基半导体材料（单晶/多晶硅片）

2.III-V族化合物半导体（GaAs、InP等）

3.功率器件结构（MOSFET/IGBT芯片）

4.光伏器件（PERC/HJT太阳能电池）

5.光电探测器（APD/PIN二极管）

6.MEMS传感器压敏结结构

检测方法

1.ASTMF1393-18：汞探针C-V法载流子浓度测试

2.ISO16700:2019：TEM截面分析法测定耗尽层厚度

3.GB/T1551-2021：硅单晶电阻率直流四探针法

4.JISH0605:2018：扩展电阻法载流子分布分析

5.IEC60747-2:2020：半导体器件反向特性测试规范

6.GB/T4937-2018：半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

1.KeysightB1500A半导体分析仪：I-V/C-V特性曲线测量

2.LakeShoreCRX-VF低温探针台：77K-500K变温测试系统

3.ThermoFisherESCALABXi+X射线光电子能谱仪：界面化学态分析

4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：纳米级表面电势成像

5.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE刻蚀机：剖面制备系统

6.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：原子级界面结构表征

7.Agilent4294A精密阻抗分析仪：高频电容特性测试

8.SemilabWT-2000少子寿命测试仪：载流子复合特性分析

9.Keithley4200A-SCS参数分析仪：脉冲式击穿特性测试

10.ParkSystemsNX20原子力显微镜：表面电势梯度测量模块