可送检的样品类型与对应检测项目

样品类型 典型应用场景 主要检测项目 常用方法 / 参考
印制板用电解铜箔(HTE、RTF、HT箔) 覆铜板、多层印制电路板、IC载板基材 基材内碳含量、铜纯度、杂质元素总量、表面粗糙度Rz、剥离强度、厚度均匀性、抗氧化性 GB/T 5230-2020《印制板用电解铜箔》产品要求;GB/T 29847-2025《印制板用铜箔测试方法》系列试验;高频感应炉燃烧红外吸收法测定碳量
锂离子电池用电解铜箔(6μm、4.5μm极薄箔) 锂电负极集流体、动力与储能电池 内碳含量、涂碳层单位面积碳量、单位面积质量偏差、抗拉强度、延伸率、外观与针孔 SJ/T 11483-2025《锂离子电池用电解铜箔》;GB/T 20123-2006高频红外方法学;十万分之一天平称样制样
锂离子电池用压延铜箔 软包电池、复合集流体基膜 碳含量、氧含量、硫含量、厚度公差、力学各向异性、表面光泽 GB/T 36146-2018《锂离子电池用压延铜箔》;GB/T 5121.4-2008化学分析仲裁;GB/T 5187-2021箔材通用要求
涂碳铜箔、涂树脂铜箔 磷酸铁锂电池、高密度互连板层间结合 涂层单位面积碳量、基材残碳、涂层附着性、树脂固化程度、涂层厚度 SJ/T 11779-2021《印制电路用导热型涂树脂铜箔》;SJ/T 11551-2015;YS/T 1571-2022高频高速板用压延铜箔配套
电磁屏蔽用、挠性板用压延铜箔 5G屏蔽件、FPC软板、折叠屏模组 碳含量、表面处理层成分、剥离强度、粗糙度、耐弯折性 YS/T 1435-2021《电磁屏蔽用压延铜箔》;YS/T 1039-2015《挠性印制线路板用压延铜箔》;GB/T 29847-2025配套试验
铜及铜合金箔材、铜带箔材 电缆屏蔽、工艺装饰、精密冲压件 碳含量、化学成分全元素、晶粒度、力学性能、尺寸偏差 GB/T 5187-2021《铜及铜合金箔材》;GB/T 11091-2024《电缆用铜带箔材》;GB/T 26301-2021屏蔽用锌白铜带箔材;GB/T 5121系列化学分析

检测项目

1. 基材内碳含量:测定范围0.001%~1.0%,电解铜箔残碳典型水平≤0.02%(约200μg/g),高频红外测定下限0.1μg/g

2. 涂碳层单位面积碳量:常见0.1~1.5g/m²,单面与双面分别定量,结果允差按供需协议一般取±10%

3. 有机物残留(以碳计):热重法程序温度室温~1000℃,失重份额一般要求≤0.05%

4. 硫含量(与碳同炉联测):测定范围0.0005%~0.01%,高频红外通道与碳同步报出

5. 铜纯度与杂质总量:电解铜箔铜含量≥99.8%,杂质总量≤0.2%,ICP光谱配合定性定量

检测范围

1. 电解铜箔:HTE常规箔、RTF低粗糙度箔、HT高温延伸箔,厚度5~105μm

2. 极薄锂电铜箔:6μm、4.5μm及复合集流体用超薄基膜

3. 压延铜箔:LD、HD、TS牌号压延箔及YS/T 1453-2021压延铜箔带坯

4. 表面处理箔:涂碳铜箔、粗化面处理箔、涂树脂铜箔

5. 合金箔材:黄铜箔、锡磷青铜箔、锌白铜带箔材

检测方法

1. GB/T 5121.4-2008 铜及铜合金化学分析方法 第4部分:碳、硫含量的测定(铜体系化学法,仲裁复核)

2. GB/T 20123-2006 钢铁 总碳硫含量的测定 高频感应炉燃烧后红外吸收法(常规方法,方法学移植于铜箔痕量碳测定)

3. GB/T 33817-2017 铜及铜合金管材内表面碳含量的测定方法(内表面碳膜收集定量的类比方法;GB/T 33817-2026《铜及铜合金管材内表面碳膜和碳含量的测定方法》即将实施,增加碳膜测定内容)

4. GB/T 20975.26-2013 铝及铝合金化学分析方法 第26部分:碳含量的测定 红外吸收法(有色金属体系红外法参考)

5. YS/T 1562.4-2022 钨铜合金化学分析方法 第4部分:碳含量的测定 高频燃烧红外吸收法(铜基合金红外法参照)

6. GB/T 29847-2025 印制板用铜箔测试方法(铜箔产品族配套系列试验方法)

7. GB/T 5230-2020 印制板用电解铜箔(产品技术要求与化学成分配套)

检测设备

1. 高频红外碳硫分析仪(LECO CS836、Eltra CS-2000):碳测定下限0.1μg/g,单次分析40~60秒,高频炉燃烧温度≥1800℃

2. 十万分之一分析天平:读数精度0.01mg,称样量0.5~1.0g,满足痕量定量要求

3. 马弗炉:室温~1100℃,坩埚预烧与空白控制,控温精度±10℃

4. 超声波清洗器:频率40kHz,碳膜收集与试样表面清洗转移

5. 热重分析仪:温度范围室温~1000℃,分辨率0.1μg,有机残留定量

6. 管式燃烧炉:温度上限1200℃,氧气流量可调,碳膜收集后定量分析

7. 低碳级钨粒、锡粒助熔剂与预烧坩埚:空白碳量≤1μg,保证痕量测定可靠性

8. 测厚仪:铜箔厚度分辨率0.1μm,量程0~500μm

9. 电感耦合等离子体发射光谱仪:铜纯度与杂质元素配套定量,波长范围170~900nm

10. 冲片取样器:φ10~20mm圆片试样制备,适配极薄箔叠加称样