检测项目

1.电导率测量：载流子浓度（10^14~10^20cm^-3）、迁移率（100~1500cm/Vs）

2.禁带宽度测试：温度范围（77~500K）、精度0.01eV

3.晶体结构分析：X射线衍射（XRD）半峰宽＜0.02）

4.热稳定性评估：热膨胀系数（110^-6~610^-6/K）、形变率＜0.1%

5.表面形貌表征：原子力显微镜（AFM）分辨率≤0.1nm

检测范围

1.IV族单质半导体：单晶硅（Si）、金刚石（C）晶圆及外延片

2.III-V族化合物：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）基板材料

3.宽禁带半导体：碳化硅（4H-SiC、6H-SiC）、氮化镓（GaN）功率器件

4.二维半导体材料：二硫化钼（MoS₂）、氮化硼（h-BN）薄膜

5.有机-无机杂化半导体：钙钛矿（MAPbI₃）光伏材料

检测方法

1.ASTMF76-08(2020)：霍尔效应测试载流子浓度与迁移率

2.ISO14707:2015：辉光放电质谱法测定痕量杂质含量

3.GB/T1551-2009：硅单晶电阻率四探针测量规范

4.JISH0605-1996：红外吸收法测定氧碳含量

5.GB/T13388-2009：扫描电镜能谱定量分析方法

检测设备

1.Keithley4200-SCS：半导体参数分析系统（电流分辨率0.1fA）

2.BrukerD8ADVANCE：X射线衍射仪（Cu靶Kα辐射源）

3.Agilent5500：原子力显微镜（接触/轻敲双模式）

4.ThermoScientificiCAPRQ：ICP-MS（检出限＜ppt级）

5.HitachiSU8200：冷场发射扫描电镜（分辨率0.8nm@15kV）

6.LinkamTS1500：高低温探针台（-196~600℃温控）

7.PerkinElmerLambda1050+：紫外-近红外分光光度计（带宽0.05nm）

8.NetzschSTA449F5：同步热分析仪（TG-DSC联用）

9.OxfordInstrumentsPLMicroLab：光致发光谱仪（液氦闭环制冷）

10.KeysightB1500A：器件特性分析仪（IV/CV/脉冲测试）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与共价半导体检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。