检测项目
1.电导率测量：载流子浓度（10^14~10^20cm^-3）、迁移率（100~1500cm/Vs）
2.禁带宽度测试：温度范围（77~500K）、精度0.01eV
3.晶体结构分析：X射线衍射（XRD）半峰宽＜0.02）
4.热稳定性评估：热膨胀系数（110^-6~610^-6/K）、形变率＜0.1%
5.表面形貌表征：原子力显微镜（AFM）分辨率≤0.1nm
检测范围
1.IV族单质半导体：单晶硅（Si）、金刚石（C）晶圆及外延片
2.III-V族化合物：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）基板材料
3.宽禁带半导体：碳化硅（4H-SiC、6H-SiC）、氮化镓（GaN）功率器件
4.二维半导体材料：二硫化钼（MoS₂）、氮化硼（h-BN）薄膜
5.有机-无机杂化半导体：钙钛矿（MAPbI₃）光伏材料
检测方法
1.ASTMF76-08(2020)：霍尔效应测试载流子浓度与迁移率
2.ISO14707:2015：辉光放电质谱法测定痕量杂质含量
3.GB/T1551-2009：硅单晶电阻率四探针测量规范
4.JISH0605-1996：红外吸收法测定氧碳含量
5.GB/T13388-2009：扫描电镜能谱定量分析方法
检测设备
1.Keithley4200-SCS：半导体参数分析系统（电流分辨率0.1fA）
2.BrukerD8ADVANCE：X射线衍射仪（Cu靶Kα辐射源）
3.Agilent5500：原子力显微镜（接触/轻敲双模式）
4.ThermoScientificiCAPRQ：ICP-MS（检出限＜ppt级）
5.HitachiSU8200：冷场发射扫描电镜（分辨率0.8nm@15kV）
6.LinkamTS1500：高低温探针台（-196~600℃温控）
7.PerkinElmerLambda1050+：紫外-近红外分光光度计（带宽0.05nm）
8.NetzschSTA449F5：同步热分析仪（TG-DSC联用）
9.OxfordInstrumentsPLMicroLab：光致发光谱仪（液氦闭环制冷）
10.KeysightB1500A：器件特性分析仪（IV/CV/脉冲测试）