检测项目
晶面指数测定：测量精度±0.5°，覆盖{001}至{222}晶面族
极密度分布分析：分辨率0.5mrd（多重随机分布单位）
取向偏差角计算：角度范围0-90°，误差±0.1°
织构系数(TC)测定：计算精度达10-3
晶界分布统计：界面角度分辨率1°，统计样本≥104个晶粒
检测范围
金属材料：铝合金(AA2024/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)、高温合金(Inconel 718)
半导体单晶：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)衬底
陶瓷材料：氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)结构件
高分子薄膜：聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)拉伸膜材
地质样品：石英岩、方解石大理岩薄片
检测方法
X射线衍射法：ASTM E2627(极图测量)、ISO 24173(取向测定)
电子背散射衍射：GB/T 4335-2013(金属材料EBSD测试规范)
中子衍射法：ISO 21484(大体积样品三维取向分析)
同步辐射法：GB/T 36045-2018(高分辨原位测试规程)
激光共聚焦法：GB/T 10561-2005(非接触式表面取向测定)
检测设备
电子背散射衍射仪：Oxford Instruments Symmetry S2（分辨率0.05μm@20kV）
X射线衍射仪：Bruker D8 Discover（Cu靶Kα辐射, λ=1.5406Å）
三维取向成像系统：EDAX Hikari Super（最大采集速率4000pps）
同步辐射装置：上海光源BL14B1线站（能量范围5-20keV）
激光共聚焦显微镜：Keyence VK-X3000（Z轴分辨率1nm）