检测项目

晶面指数测定：测量精度±0.5°，覆盖{001}至{222}晶面族

极密度分布分析：分辨率0.5mrd（多重随机分布单位）

取向偏差角计算：角度范围0-90°，误差±0.1°

织构系数(TC)测定：计算精度达10-3

晶界分布统计：界面角度分辨率1°，统计样本≥104个晶粒

检测范围

金属材料：铝合金(AA2024/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)、高温合金(Inconel 718)

半导体单晶：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)衬底

陶瓷材料：氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)结构件

高分子薄膜：聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)拉伸膜材

地质样品：石英岩、方解石大理岩薄片

检测方法

X射线衍射法：ASTM E2627(极图测量)、ISO 24173(取向测定)

电子背散射衍射：GB/T 4335-2013(金属材料EBSD测试规范)

中子衍射法：ISO 21484(大体积样品三维取向分析)

同步辐射法：GB/T 36045-2018(高分辨原位测试规程)

激光共聚焦法：GB/T 10561-2005(非接触式表面取向测定)

检测设备

电子背散射衍射仪：Oxford Instruments Symmetry S2（分辨率0.05μm@20kV）

X射线衍射仪：Bruker D8 Discover（Cu靶Kα辐射, λ=1.5406Å）

三维取向成像系统：EDAX Hikari Super（最大采集速率4000pps）

同步辐射装置：上海光源BL14B1线站（能量范围5-20keV）

激光共聚焦显微镜：Keyence VK-X3000（Z轴分辨率1nm）