检测项目

1.正离子发射电流密度：测量范围1nA/cm-10mA/cm，精度0.5%

2.离子能量分布：分析范围0.1-100eV，分辨率≤0.5eV

3.表面功函数：测试精度0.02eV

4.热场发射稳定性：连续监测72小时以上

5.二次电子产额：测量范围0.1-5.0

检测范围

1.半导体材料（GaAs、SiC等）

2.场发射显示器阴极涂层

3.航天器表面导电薄膜

4.电子显微镜钨灯丝

5.核聚变装置第一壁材料

检测方法

国际标准：ASTMF617-22（热场发射测试）、ISO21485:2019（表面功函数测定）

国家标准：GB/T32542-2016（场致发射测试规范）、GB/T40905-2021（二次电子产额测量）

检测设备

1.TOF-SIMS5-100型飞行时间二次离子质谱仪（表面成分分析）

2.PHI710Auger纳米探针（功函数测量）

3.SPECSPhoibos150半球能量分析器（能量分辨率0.1eV）

4.Keithley2636B双通道源表（电流测量精度0.01fA）

5.ThermoScientificOrbitrapFusionLumos三合一质谱仪（同位素分辨）

6.FEIHeliosG4UX聚焦离子束系统（纳米级样品制备）

7.Agilent6545XTQ-TOF液质联用仪（痕量元素分析）

8.BrukerDimensionIcon原子力显微镜（表面形貌表征）

9.RBD1471静电透镜系统（离子束聚焦控制）

10.PfeifferVacuumHiPace700分子泵组（真空度≤110⁻⁸Pa）