检测项目

1.存储容量验证：包括单元密度(≥1e6cells/mm)、位错误率(≤1e-12BER)、冗余校验能力(ECC纠错≥4bit)

2.读写性能测试：随机访问延迟(≤50ns)、顺序读写速度(≥3200MT/s)、突发传输稳定性(5%波动容限)

3.时序参数分析：tRCD(18-22ns)、tRP(16-20ns)、tRAS(36-40ns)等关键时序参数的容差验证

4.功耗特性评估：待机电流(≤5μA@25℃)、工作功耗(≤1.5W@DDR4-3200)、漏电流(≤10nA/bit)

5.温度稳定性测试：工作温度范围(-40℃~+125℃)、数据保持能力(≥10年@85℃)、热循环耐受性(1000次循环)

检测范围

1.DRAM芯片：包括DDR4/DDR5/LPDDR5等规格的同步动态随机存储器

2.NAND闪存：涵盖SLC/MLC/TLC/QLC架构的2D/3DNAND存储单元

3.SRAM模块：高速静态存储器及TCAM特殊存储结构

4.嵌入式内存：SoC集成的eMMC/UFS/MRAM存储单元

5.新型存储器件：ReRAM/PCM/FRAM等非易失性存储器原型

检测方法

ASTMF1242-2018：半导体存储器件的直流参数测试规范

ISO10373-6:2016：智能卡存储单元的电气特性测试方法

GB/T26248-2010：微电子器件可靠性试验程序（含HTOL/ELFR测试）

JEDECJESD22-A117E：嵌入式多芯片存储器的机械应力测试

IEC60749-39:2021：半导体器件的软错误率测试方法

检测设备

KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持nA级电流测量和100ps级脉冲生成

TektronixDPO73304SX示波器：33GHz带宽的波形捕获与分析系统

AdvantestT5503HS存储器测试机：支持DDR5-6400协议验证的自动化平台

ThermonicsT-2600C温控系统：提供-70℃~+300℃的精准温度环境

ESPECEHS-211M环境试验箱：复合应力加速老化测试装置

CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级存储单元特性分析系统

AnritsuMP1900A误码率测试仪：支持56GbpsNRZ/PAM4信号完整性验证

FlukeTi450红外热像仪：微米级空间分辨率的功耗分布测绘设备

OxfordInstrumentsOmniLabMBE：超高真空环境下的原子级缺陷分析系统

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与内存分析检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。