检测项目
纯度分析：检测金属主体含量（99.999%-99.99999%）
痕量元素检测：分析Fe、Cu、Ni等杂质元素（检测限0.1-10 ppb）
气体含量分析：测定O、N、H等气体成分（检测范围0.1-100 ppm）
晶格缺陷检测：评估位错密度（分辨率≤1×10^6 cm⁻²）
物理性能测试：包含电导率（±0.5%误差）、热膨胀系数（±0.1×10⁻6/K）
检测范围
半导体级高纯金属：如5N以上铝、铜、钨
溅射靶材：钛、钽、钼等高纯度镀膜材料
核工业用金属：锆合金、铪材（Hf含量＞99.9%）
光学镀膜材料：金、银、铂等超高反射率金属
超导材料：铌三锡（Nb3Sn）、钒三镓（V3Ga）等
检测方法
纯度分析：ASTM E1251（辉光放电质谱法）、GB/T 20127
痕量元素检测：ISO 18114（二次离子质谱法）、GB/T 4336
气体含量分析：ASTM E1447（惰性气体熔融法）、GB/T 223.85
晶格缺陷检测：ISO 24173（电子背散射衍射）、GB/T 33812
物理性能测试：ISO 11884（四探针电阻率法）、GB/T 4339
检测设备
辉光放电质谱仪：Thermo Scientific ELEMENT GD（纯度分析，分辨率0.001 ppm）
电感耦合等离子体质谱仪：Agilent 7900（痕量元素检测，检测限0.01 ppb）
气体分析仪：LECO ONH836（氧氮氢联测，精度±0.05 ppm）
X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE（晶格常数分析，角度重复性±0.0001°）
四探针测试仪：Lucas Labs Pro4（电导率测量，量程0.1-10000 μΩ·cm）